本文關(guān)鍵詞：應(yīng)用VASP分析含氧碳化硅的拉伸性能　出處：《原子能科學技術(shù)》2016年05期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：利用VASP模擬了含氧碳化硅晶體的理想拉伸過程,研究間隙位氧原子和替換位氧原子對碳化硅機械性能的影響。研究發(fā)現(xiàn)摻氧碳化硅的應(yīng)力-應(yīng)變曲線在峰值之后出現(xiàn)突然下降,說明含氧碳化硅的機械性能發(fā)生了變化。同時還分析了不同摻氧方式碳化硅模型的拉伸強度和楊氏模量,結(jié)果顯示,含氧碳化硅的拉伸強度和楊氏模量均有不同程度的減弱。
【作者單位】： 華北電力大學核科學與工程學院;三峽大學機械與動力學院;
【基金】：國家自然科學基金資助項目(91326108) 中央高校基本科研業(yè)務(wù)費專項資金資助項目(2014XS63)
【分類號】：TQ163.4
【正文快照】： 碳化硅(SiC)具有中子吸收截面低、高溫強度大、耐腐蝕性能良好及輻照穩(wěn)定性強等特點,使其成為第4代反應(yīng)堆某些關(guān)鍵部位的重要候選材料。特別是高溫氣冷堆的設(shè)計出口溫度達到1 000℃,在極端的操作環(huán)境下,SiC陶瓷和石墨是燃料包殼的首選材料。在高溫高壓和強輻射損傷下仍能保持

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本文編號：1328304