環(huán)形天線-橢球諧振腔式MPCVD裝置高功率下沉積高品質(zhì)金剛石膜
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更多相關(guān)文章: 金剛石膜 化學(xué)氣相沉積 高功率 氮雜質(zhì) 橢球諧振腔
【摘要】:介紹了自行研制的環(huán)形天線-橢球諧振腔式高功率MPCVD裝置的結(jié)構(gòu)特點(diǎn),展示并研究了新裝置在高功率條件下的放電特性。在10.5 k W的高微波輸入功率下成功制備了直徑50 mm,厚度接近1 mm的高品質(zhì)自支撐金剛石膜。在真空泄漏速率約2.5×10~(-6)Pa·m~3/s的條件下金剛石膜的生長速率達(dá)到6μm/h,金剛石膜厚度偏差小于±2.1%。拋光后的金剛石膜紅外透過率在6.5~25μm范圍內(nèi)接近71%;紫外透過率在270 nm處超過50%,金剛石膜樣品的光學(xué)吸收邊約為225 nm;通過紫外吸收光譜計(jì)算的金剛石膜樣品中的氮雜質(zhì)含量約為1.5 ppm;金剛石膜的拉曼半峰寬小于1.8 cm~(-1)。
【作者單位】: 北京科技大學(xué)新材料技術(shù)研究院;河北省激光研究所;河北普萊斯曼金剛石科技有限公司;中國科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所;
【關(guān)鍵詞】: 金剛石膜 化學(xué)氣相沉積 高功率 氮雜質(zhì) 橢球諧振腔
【分類號】:TQ163
【正文快照】: (Received 8 April 2016)1引言大面積、高品質(zhì)金剛石膜以其優(yōu)異的綜合性能在各領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用[1]。然而,盡管微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)技術(shù)自發(fā)明以來取得了巨大的技術(shù)進(jìn)步,但在大面積高品質(zhì)金剛石膜的高效制備方面仍面臨挑戰(zhàn)[2-4]。高功率MPCVD技術(shù)是高效制備大面
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本文編號:1004226
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