本文關(guān)鍵詞：形貌可控納米氧化銅的制備及其性能研究

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【摘要】：氧化銅(CuO)是一種窄禁帶(1.2-1.9 eV)的p型半導(dǎo)體材料,其納米結(jié)構(gòu)材料具有體積效應(yīng)、量子尺寸效應(yīng)、表面效應(yīng)和宏觀量子隧道效應(yīng),在光吸收、磁性、熱阻、催化、化學(xué)活性和熔點(diǎn)等方面均表現(xiàn)出良好的物化性能,可應(yīng)用于生物醫(yī)藥、傳感器、催化材料和環(huán)境治理等領(lǐng)域。但是目前如何將CuO納米材料器件化并廣泛應(yīng)用于實(shí)際領(lǐng)域,還存在很多亟需解決和克服的技術(shù)問題。其中,發(fā)展CuO納米結(jié)構(gòu)的可控合成,并獲得均一尺度的多維體系,對(duì)于研究CuO納米材料的基本性質(zhì)以及探索其潛在應(yīng)用是一條非常重要而又切實(shí)可行的途徑。本論文采用水熱工藝、電化學(xué)沉積工藝、三電位陽極氧化工藝以及化學(xué)浴沉積工藝制備了CuO納米線、納米片、紡錘狀納米結(jié)構(gòu)、猴頭菇狀納米結(jié)構(gòu)、星形納米結(jié)構(gòu)、三維花狀納米結(jié)構(gòu)、分層納米球等,旨在對(duì)所制備的CuO納米材料的結(jié)構(gòu)、形貌、生長(zhǎng)機(jī)理、光催化性能等方面進(jìn)行系統(tǒng)的研究。同時(shí),為了解決納米CuO光致發(fā)光電子與空穴易復(fù)合的缺陷,對(duì)其進(jìn)行金屬離子(Zn2+、Cd2+、Mn2+)摻雜和其它半導(dǎo)體金屬氧化物(Ti02)復(fù)合改性,以提高納米CuO材料的光催化性能。論文的主要結(jié)論如下：(1)以醋酸銅(Cu(CH_3COO)_2·H_2O)為銅源、氫氧化鈉(NaOH)為沉淀劑采用水熱工藝制備CuO多維納米結(jié)構(gòu)粉體,通過調(diào)節(jié)實(shí)驗(yàn)參數(shù)實(shí)現(xiàn)對(duì)納米CuO的形貌可控。利用X射線衍射儀(XRD)和場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(FESEM)對(duì)樣品的結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行表征,并用紫外可見分光光度計(jì)測(cè)試樣品對(duì)紫外、可見光波段的吸收能力。結(jié)果表明,隨著Cu(CH_3COO)_2·H_2O濃度的增加,樣品微觀形貌由納米片堆砌而成的三維花狀結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)槎SCuO納米片,最終形成紡錘狀CuO納米結(jié)構(gòu)：沉淀劑也是影響形貌的重要因素,不添加NaOH時(shí)得到猴頭菇狀的CuO納米結(jié)構(gòu)；水熱反應(yīng)溫度和時(shí)間僅對(duì)片層狀納米結(jié)構(gòu)的尺寸產(chǎn)生影響。其微觀形貌的差異可歸咎于通過空間障礙的配體具有不同的密度,進(jìn)而影響納米晶的擇優(yōu)生長(zhǎng)取向,利用Ostwald熟化機(jī)制可對(duì)該納米結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)過程進(jìn)行合理的解釋。所選取的最佳制備參數(shù)為：Cu(CH_3COO)_2·H_2O濃度0.4 M,NaOH濃度1.0 M,水熱反應(yīng)溫度110℃,水熱反應(yīng)時(shí)間2 h,該條件下制備的CuO納米片寬400 nm,長(zhǎng)900 nm。該樣品對(duì)紫外光的吸收強(qiáng),對(duì)可見光的吸收很弱,光學(xué)帶隙為3.00 eV。CuO納米片對(duì)亞甲基藍(lán)(MB)的光降解率在210 min時(shí)達(dá)92.1%,而常規(guī)CuO粉末在相同條件下對(duì)MB的光降解率僅為61.5%,表明所制備的樣品具有良好的光催化性能。(2)以Cu(CH_3COO)_2·H_2O為銅源采用電化學(xué)沉積工藝,并以十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)作為表面活性劑在導(dǎo)電玻璃(ITO)上合成了新穎的星型結(jié)構(gòu)納米CuO薄膜,CuO結(jié)晶度高,無任何雜相,與基底附著良好。電沉積電壓和電沉積溫度是實(shí)現(xiàn)納米CuO形貌可控的主要因素,可以得到對(duì)稱花狀結(jié)構(gòu)、星形結(jié)構(gòu)、球形結(jié)構(gòu)、簇狀結(jié)構(gòu)。電沉積時(shí)間和反應(yīng)液的攪拌速率會(huì)影響結(jié)構(gòu)的對(duì)稱性和膜體的微觀連續(xù)性,而退火溫度會(huì)影響結(jié)構(gòu)表面的粗糙度和對(duì)稱性。所選取的最佳制備參數(shù)為：Cu(CH_3COO)_2·H_2O濃度0.02 M,醋酸鈉(CH3COONa·3H2O)濃度0.1 M,電沉積電壓3 V,電沉積溫度60℃,電沉積時(shí)間2 h,退火溫度400℃,退火時(shí)間2 h。最佳條件下制備的CuO薄膜在紫外光區(qū)存在一個(gè)明顯的吸收峰,而對(duì)可見光的吸收較弱,光學(xué)帶隙為3.3 eV,該樣品對(duì)MB的光降解率在260 min時(shí)達(dá)95.0%。同時(shí),探究了該星形結(jié)構(gòu)納米CuO薄膜的生長(zhǎng)機(jī)理,利用島狀生長(zhǎng)機(jī)制和面向連接機(jī)制合理地解釋了膜體和納米結(jié)構(gòu)的形成過程。(3)以銅片為基底利用三電位陽極氧化原位生長(zhǎng)工藝制備了一維CuO納米線。最佳條件為：NaOH濃度0.8 M,陽極氧化電壓1.5 V,陽極氧化時(shí)間10 min,反應(yīng)液溫度25℃,退火溫度300℃,退火時(shí)間3 h。該條件下制備的CuO納米線的平均直徑為25 nm,平均長(zhǎng)度為5μm,納米線相互交錯(cuò)形成空間三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。通過對(duì)制備參數(shù)的微區(qū)調(diào)控可實(shí)現(xiàn)對(duì)CuO納米線的尺寸控制。研究發(fā)現(xiàn),添加劑的使用會(huì)顯著影響納米線的微觀形貌,十二烷基硫酸鈉(SDS)促使CuO納米線更短,并聚集成為納米束；而在C2H5OH/H2O混合溶液下形成的納米線直徑更小,長(zhǎng)度更長(zhǎng),曲率更大。PL圖譜顯示,該CuO納米線在352 nm和463nm具有明顯的發(fā)光峰,其對(duì)MB的光降解率達(dá)90.2%。同時(shí),本論文詳細(xì)闡述了CuO納米線的生長(zhǎng)機(jī)理。(4)以銅片為基底采用化學(xué)浴沉積工藝制備出Cu(OH)2/CuO混合納米結(jié)構(gòu)薄膜,經(jīng)退火可得到納米CuO的多元結(jié)構(gòu),既包含CuO納米棒,也存在由納米片組成的分層微米球。通過控制合成參數(shù),也可以得到純CuO納米線或納米片。反應(yīng)物NaOH濃度和反應(yīng)時(shí)間是控制薄膜微觀形貌的關(guān)鍵因素。該研究將Cu(OH)2/CuO混合納米結(jié)構(gòu)與純納米CuO在光吸收、光學(xué)帶隙以及光催化性能三個(gè)方面進(jìn)行對(duì)比,并詳盡地分析了原因。Cu(OH)2/CuO復(fù)合納米結(jié)構(gòu)薄膜的帶隙范圍為1.0-3.5 eV,純CuO納米結(jié)構(gòu)薄膜的帶隙范圍為1.33-1.7 eV,兩者對(duì)MB的光降解率分別可達(dá)93.3%和92.5%。根據(jù)PL圖譜,Cu(OH)2/CuO復(fù)合材料的發(fā)光峰位于345 nm,390 nm,423 nm,460 nm,而CuO納米片的發(fā)光峰位于341 nm,390 nm, 423 nm,460 nm,489 nm,二者在紫外光和可見光區(qū)均有強(qiáng)的光吸收能力。此外,本研究利用圖解的方式系統(tǒng)地總結(jié)了不同NaOH濃度對(duì)材料結(jié)構(gòu)和成分的影響。(5)分別選取醋酸鋅(Zn(CH_3COO)2·2H2O)、硝酸鎘(Cd(NO3)2·4H2O)和醋酸錳(n(CH3COO)2·4H2O)作為Zn2+源、Cd2+源和Mn2+源,利用水熱工藝對(duì)CuO納米片進(jìn)行摻雜改性。XRD結(jié)果顯示：摻雜Zn2+的CuO納米片的衍射峰偏移極小,且主次峰的方向不一致；而摻雜Cd2+和Mn2+的CuO納米片的衍射峰分別發(fā)生左移和右移,并用EDS能譜儀對(duì)樣品進(jìn)行微區(qū)成分定性和半定量分析。FESEM結(jié)果表明,Zn2+摻雜得到松針狀CuO納米結(jié)構(gòu),長(zhǎng)1.0 μm,寬50nm; C d2+摻雜使CuO片狀結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)楠M長(zhǎng)的羽毛狀結(jié)構(gòu),易形成絮狀聚集；隨著Mn2+濃度的增大,納米片的尺寸逐漸減小,最后形成紡錘狀結(jié)構(gòu)(或者菱形片狀結(jié)構(gòu))。UV-vis吸收光譜表明摻雜后的CuO納米結(jié)構(gòu)在紫外光尤其是可見光區(qū)的吸收明顯增強(qiáng)。Zn2+、Cd2+、Mn2+摻雜下的CuO納米結(jié)構(gòu)的禁帶寬度分別為1.42-1.48 eV、1.50-1.57 eV、1.25-1.38 eV,對(duì)MB的光降解率與未摻雜的納米CuO相比提高了8.07%(4.82% Zn2+摻雜量)、4.82%(6.17% Cd2+摻雜量)、2.84%(3.41% Mn2+摻雜量)。(6)以Cu(CH_3COO)_2·H_2O和NaOH為反應(yīng)原料,抗壞血酸(C6H8O6)為模板劑合成球形Cu2O,再以鈦酸四丁酯(TBOT)為鈦源利用兩步溶劑合成工藝經(jīng)退火后制備出直徑均一的CuO@TiO2核殼結(jié)構(gòu),并對(duì)樣品進(jìn)行了XRD、FESEM、EDS、UV-vis、金相顯微鏡等表征分析及光學(xué)性質(zhì)研究。上述表征表明,核殼結(jié)構(gòu)中的TiO2為銳鈦礦型,通過調(diào)節(jié)實(shí)驗(yàn)參數(shù)可實(shí)現(xiàn)核殼結(jié)構(gòu)的直徑可控,對(duì)于直徑540 nm的結(jié)構(gòu),其殼層厚度達(dá)85 nm。相比于常規(guī)Ti02(P25),CuO@Ti02在350-800 nm波段的光吸收能力明顯增加,其禁帶寬度為2.70 eV,而P25的帶寬為3.10 eV。適量Cu/Ti比的CuO@Ti02核殼結(jié)構(gòu)可提高對(duì)MB的光降解率,其中0.17%CuO@TiO2的光催化性能最好,在210 min時(shí)對(duì)MB的降解率達(dá)95%,比相同制備條件下的純CuO納米球和P25提高了4%和8%.同時(shí),該研究合理闡述了 CuO@Ti02核殼結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)機(jī)理。本論文利用多種合成工藝及對(duì)制備參數(shù)的微區(qū)調(diào)控,實(shí)現(xiàn)了CuO納米結(jié)構(gòu)的形貌可控制備。針對(duì)于電化學(xué)沉積工藝和化學(xué)浴沉積工藝制備的星形CuO納米結(jié)構(gòu)和混合多維CuO納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行了深入研究,提出基于面向連接機(jī)制的島狀生長(zhǎng)模式及自組裝“脖頸”收縮機(jī)制。
【關(guān)鍵詞】：CuO納米結(jié)構(gòu) 可控制備 光催化性能
【學(xué)位授予單位】：中國地質(zhì)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號(hào)】：O614.121;TB383.1
【目錄】：

• 作者簡(jiǎn)歷7-10
• 摘要10-14
• ABSTRACT14-24
• 第一章 緒論24-61
• 1.1 課題背景及意義24-25
• 1.2 半導(dǎo)體化合物研究進(jìn)展25-31
• 1.2.1 半導(dǎo)體化合物的定義及分類25-26
• 1.2.2 半導(dǎo)體材料發(fā)展簡(jiǎn)史26-28
• 1.2.3 半導(dǎo)體材料的特點(diǎn)及應(yīng)用28-31
• 1.3 納米CuO概述31-59
• 1.3.1 CuO的基本性質(zhì)32-34
• 1.3.2 納米CuO的制備方法34-37
• 1.3.3 CuO納米結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)機(jī)制37-43
• 1.3.4 納米CuO的應(yīng)用43-59
• 1.4 本論文的主要內(nèi)容及創(chuàng)新點(diǎn)59-61
• 第二章 實(shí)驗(yàn)部分61-67
• 2.1 引言61
• 2.2 實(shí)驗(yàn)試劑及實(shí)驗(yàn)儀器61-63
• 2.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑61-62
• 2.2.2 實(shí)驗(yàn)儀器62-63
• 2.3 樣品表征手段及測(cè)試條件63-67
• 2.3.1 X射線衍射儀分析63
• 2.3.2 場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡分析63-64
• 2.3.3 透射電鏡分析64
• 2.3.4 原子力顯微鏡分析64
• 2.3.5 金相顯微鏡分析64
• 2.3.6 光致發(fā)光性能測(cè)試64-65
• 2.3.7 紫外-可見吸收光譜表征65
• 2.3.8 光催化性能測(cè)試65-67
• 第三章 水熱工藝制備多維CuO納米結(jié)構(gòu)67-79
• 3.1 引言67
• 3.2 實(shí)驗(yàn)方案67-68
• 3.3 水熱工藝制備CuO納米結(jié)構(gòu)的影響因素探討68-74
• 3.3.1 醋酸銅濃度68-70
• 3.3.2 沉淀劑70-72
• 3.3.3 水熱反應(yīng)溫度72-73
• 3.3.4 水熱反應(yīng)時(shí)間73-74
• 3.4 UV-vis表征74-75
• 3.5 光催化性能研究75-76
• 3.6 水熱工藝制備CuO納米片生長(zhǎng)機(jī)制76-78
• 3.7 本章小結(jié)78-79
• 第四章 電化學(xué)沉積工藝制備星形CuO納米結(jié)構(gòu)79-92
• 4.1 引言79
• 4.2 實(shí)驗(yàn)方案79-81
• 4.3 電化學(xué)沉積工藝制備CuO納米結(jié)構(gòu)的影響因素探討81-88
• 4.3.1 電沉積電壓81-84
• 4.3.2 電沉積時(shí)間84-85
• 4.3.3 電沉積溫度85-86
• 4.3.4 反應(yīng)液攪拌速率86-87
• 4.3.5 退火溫度87-88
• 4.4 UV-vis表征88-89
• 4.5 光催化性能研究89
• 4.6 電化學(xué)沉積工藝制備星形CuO納米結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)機(jī)制89-91
• 4.7 本章小結(jié)91-92
• 第五章 三電位陽極氧化工藝制備一維CuO納米線92-108
• 5.1 引言92
• 5.2 實(shí)驗(yàn)方案92-95
• 5.3 陽極氧化工藝制備CuO納米線的影響因素探討95-103
• 5.3.1 陽極氧化電壓95-97
• 5.3.2 NaOH濃度97-98
• 5.3.3 陽極氧化溫度98-99
• 5.3.4 電解液體系99-100
• 5.3.5 陽極氧化時(shí)間100-103
• 5.4 PL表征103-104
• 5.5 光催化性能研究104-105
• 5.6 三電位陽極氧化工藝制備CuO納米線生長(zhǎng)機(jī)制105-106
• 5.7 本章小結(jié)106-108
• 第六章 化學(xué)浴沉積工藝制備多維CuO納米結(jié)108-134
• 6.1 引言108
• 6.2 實(shí)驗(yàn)方案108-110
• 6.3 化學(xué)浴沉積工藝制備CuO納米結(jié)構(gòu)的影響因素探討110-119
• 6.3.1 NaOH濃度110-115
• 6.3.2 反應(yīng)時(shí)間115-117
• 6.3.3 熱處理117-119
• 6.4 FESEM和AFM表征119-121
• 6.5 PL表征121-122
• 6.6 UV-vis表征122-125
• 6.7 光催化性能研究125-128
• 6.8 化學(xué)浴沉積工藝制備CuO納米結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)機(jī)制128-132
• 6.9 本章小結(jié)132-134
• 第七章 CuO納米片的金屬離子摻雜改性134-155
• 7.1 引言134
• 7.2 實(shí)驗(yàn)方案134-136
• 7.3 Zn~(2+)摻雜136-142
• 7.3.1 XRD分析136-137
• 7.3.2 FESEM及EDS分析137-140
• 7.3.3 UV-vis表征140-141
• 7.3.4 光催化性能研究141-142
• 7.4 Cd~(2+)摻雜142-147
• 7.4.1 XRD分析142-143
• 7.4.2 FESEM和EDS分析143-145
• 7.4.3 UV-vis表征145-147
• 7.4.4 光催化性能研究147
• 7.5 Mn~(2+)摻雜147-153
• 7.5.1 XRD分析147-149
• 7.5.2 FESEM和EDS分析149-151
• 7.5.3 UV-vis表征151-152
• 7.5.4 光催化性能研究152-153
• 7.6 本章小結(jié)153-155
• 第八章 兩步溶劑工藝制備CuO@TiO_2核殼結(jié)構(gòu)155-172
• 8.1 引言155-156
• 8.2 實(shí)驗(yàn)方案156-157
• 8.3 兩步溶劑工藝制備CuO@TiO_2核殼結(jié)構(gòu)的影響因素探討157-165
• 8.3.1 醋酸銅濃度157-160
• 8.3.2 鈦酸四丁酯濃度160-163
• 8.3.3 退火溫度163-165
• 8.4 TEM及金相顯微鏡(MM)表征165
• 8.5 UV-vis表征165-168
• 8.6 光催化性能研究168-169
• 8.7 兩步溶劑工藝CuO@TiO_2核殼結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)機(jī)制169-170
• 8.8 本章小結(jié)170-172
• 第九章 全文總結(jié)172-175
• 9.1 本論文的主要結(jié)論172-174
• 9.2 研究展望174-175
• 致謝175-177
• 參考文獻(xiàn)177-198

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7 秦伯雄;陳峰;馬卓然;;高壓流體納米磨及其應(yīng)用[A];納米材料和技術(shù)應(yīng)用進(jìn)展——全國第三屆納米材料和技術(shù)應(yīng)用會(huì)議論文集（上卷）[C];2003年

8 王樹林;李生娟;童正明;李來強(qiáng);;振動(dòng)納米學(xué)進(jìn)展[A];第七屆全國顆粒制備與處理學(xué)術(shù)暨應(yīng)用研討會(huì)論文集[C];2004年

9 洪廣言;賈積曉;于德才;孫鎖良;李天民;王振華;;納米級(jí)氧化鐿的制備與表征[A];中國稀土學(xué)會(huì)第四屆學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2000年

10 洪茂椿;;納米催化在化石資源高效轉(zhuǎn)化中的應(yīng)用研究[A];中國化學(xué)會(huì)2008年中西部地區(qū)無機(jī)化學(xué)、化工學(xué)術(shù)交流會(huì)會(huì)議論文集[C];2008年

中國重要報(bào)紙全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 張立德（中國科學(xué)院固體物理研究所）;納米專家話納米[N];中國高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)導(dǎo)報(bào);2002年

2 本報(bào)記者 趙曉展;納米科技，，產(chǎn)業(yè)化序幕剛剛拉開[N];工人日?qǐng)?bào);2002年

3 宗合 曉麗;納米科技成果產(chǎn)業(yè)化將帶來巨大經(jīng)濟(jì)效益[N];消費(fèi)日?qǐng)?bào);2004年

4 朱文龍;產(chǎn)學(xué)研聯(lián)手助推納米產(chǎn)業(yè)[N];文匯報(bào);2006年

5 ;神奇的納米科技[N];中國有色金屬報(bào);2006年

6 本報(bào)記者 李贄;納米還沒走出實(shí)驗(yàn)室[N];大眾科技報(bào);2001年

7 馮 薇;納米護(hù)膚品沒那么神[N];大眾科技報(bào);2005年

8 本報(bào)記者 彤云;打造納米產(chǎn)業(yè)鏈條[N];中國高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)導(dǎo)報(bào);2001年

9 張芳;納米護(hù)膚品其實(shí)沒那么神[N];科技日?qǐng)?bào);2005年

10 趙展慧 張之豪;納米世界有多神奇？[N];人民日?qǐng)?bào);2013年

中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 樊莉鑫;納米電極體系界面結(jié)構(gòu)及過程的理論與數(shù)值模擬研究[D];武漢大學(xué);2014年

2 馮曉勇;高速重?fù)魲l件下高錳鋼表面納米晶的制備及組織性能研究[D];燕山大學(xué);2015年

3 黃權(quán);B-C-N體系中新型超硬材料制備與性能研究[D];燕山大學(xué);2015年

4 王東新;納米鉆石靶向載藥體系的制備及其與細(xì)胞相互作用的研究[D];山西大學(xué);2014年

5 張俊麗;低維磁性納米結(jié)構(gòu)的可控合成、微觀表征及應(yīng)用研究[D];蘭州大學(xué);2015年

6 于佳鑫;兩種新型光學(xué)材料在顯微生物成像與光譜檢測(cè)中的應(yīng)用探索[D];浙江大學(xué);2015年

7 李志明;塊體納米晶鈦的制備及組織演變與力學(xué)行為[D];上海交通大學(xué);2014年

8 楊樹瑚;缺陷對(duì)幾種過渡族金屬氧化物磁性的影響[D];南京大學(xué);2012年

9 劉春靜;鋰離子電池錫基納米負(fù)極材料制備及儲(chǔ)鋰性能[D];大連理工大學(xué);2015年

10 謝偉麗;SiC納米線三維結(jié)構(gòu)的制備與生物相容性[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2014年

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 林詮彬;中藥納米化對(duì)中醫(yī)藥的影響[D];廣州中醫(yī)藥大學(xué);2010年

2 毛彩霞;納米二氧化錳的安全性評(píng)價(jià)[D];華中師范大學(xué);2008年

3 豆貝貝;納米水泥熟料礦物的合成與性能研究[D];河北聯(lián)合大學(xué);2014年

4 郭步超;高氮奧氏體不銹鋼機(jī)械納米化表面層及其熱穩(wěn)定性研究[D];長(zhǎng)春工業(yè)大學(xué);2015年

5 王艷艷;納米化/滲氮/滲硫?qū)优c潤(rùn)滑油添加劑的摩擦化學(xué)效應(yīng)研究[D];中國地質(zhì)大學(xué)(北京);2015年

6 周文敏;Cr_2WO_6、Ag_2CrO_4微/納米晶的制備及性能研究[D];陜西科技大學(xué);2015年

7 許艷;鉑納米晶體形貌的控制合成及其性能研究[D];中國石油大學(xué)(華東);2014年

8 郭慧穎;CVD法在圖形化藍(lán)寶石襯底和硅襯底上生長(zhǎng)SnO_2微/納米結(jié)構(gòu)及其特性研究[D];遼寧師范大學(xué);2015年

9 秦騰;高容量鎂基儲(chǔ)氫材料的納米制備及吸放氫性能研究[D];浙江大學(xué);2016年

10 佟月宇;堿性直接甲醇燃料電池陽極鎳磷復(fù)合催化劑的研究[D];浙江大學(xué);2016年

本文編號(hào)：962551