本文關(guān)鍵詞：碘化銦多晶提純及薄膜制備

  更多相關(guān)文章： 核輻射探測(cè)器 提純 多晶薄膜 碘化銦

【摘要】：隨著化石能源的日益枯竭,風(fēng)能、核能和光伏發(fā)電被譽(yù)為是解決全球能源和環(huán)境污染的三大技術(shù),其中核能的安全利用和檢測(cè)逐漸成為研究熱點(diǎn)。核輻射探測(cè)半導(dǎo)體材料有著廣闊的發(fā)展前景,而碘化銦(InI)晶體以其較大的禁帶寬度,電阻率和載流子遷移率-壽命積,較高的探測(cè)效率和能量分辨率等優(yōu)異性質(zhì),得到了國(guó)際核輻射探測(cè)材料研究領(lǐng)域的重點(diǎn)關(guān)注。鑒于碘化銦晶體在核輻射探測(cè)等領(lǐng)域的誘人前景,本文主要基于晶體缺陷和薄膜生長(zhǎng)等結(jié)晶學(xué)理論,一方面探討了高純、近化學(xué)計(jì)量比的碘化銦多晶的提純工藝,并對(duì)樣品的組分、結(jié)構(gòu)以及雜質(zhì)濃度進(jìn)行了表征;另一方面探討了制備碘化銦多晶薄膜的具體生長(zhǎng)工藝,通過(guò)對(duì)其結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能的分析細(xì)致探討了碘化銦多晶薄膜應(yīng)用到核輻射探測(cè)器中的可行性。首先,對(duì)碘化銦晶體的能帶結(jié)構(gòu)、晶體結(jié)構(gòu)等基本特性,晶體生長(zhǎng)過(guò)程中幾種常見(jiàn)缺陷的形成機(jī)理及其影響,以及薄膜生長(zhǎng)過(guò)程的各個(gè)階段進(jìn)行了詳細(xì)論述和分析,為接下來(lái)的實(shí)驗(yàn)提供了理論基礎(chǔ)。其次,通過(guò)對(duì)區(qū)熔提純?cè)硪约暗饣煻嗑匦苑治?獲得了適于碘化銦多晶區(qū)熔提純的速率、溫度等工藝參數(shù)。利用水平區(qū)熔法對(duì)碘化銦多晶進(jìn)行了提純,最后通過(guò)X射線粉末衍射儀(XRD)、掃描電子顯微鏡-能譜儀(SEM-EDS)以及電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜儀(ICP-AES)對(duì)提純前后的碘化銦多晶的晶格結(jié)構(gòu)、形貌組分以及雜質(zhì)濃度進(jìn)行了詳細(xì)表征。最后,采用真空蒸發(fā)法制備了碘化銦多晶薄膜,通過(guò)XRD、SEM以及紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)(UV-Vis)對(duì)所制備的碘化銦多晶薄膜晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌以及光學(xué)性能等進(jìn)行了詳細(xì)表征。
【關(guān)鍵詞】：核輻射探測(cè)器 提純 多晶薄膜 碘化銦
【學(xué)位授予單位】：燕山大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號(hào)】：O614.372;TL81
【目錄】：

• 摘要4-5
• ABSTRACT5-9
• 第1章 緒論9-17
• 1.1 室溫半導(dǎo)體核輻射探測(cè)材料研究背景9-11
• 1.2 室溫半導(dǎo)體核輻射探測(cè)器的工作原理11-13
• 1.3 碘化銦晶體的研究進(jìn)展13-14
• 1.4 課題研究的目的及意義14-15
• 1.5 本文研究的主要內(nèi)容15-17
• 第2章 結(jié)晶學(xué)理論基礎(chǔ)17-30
• 2.1 碘化銦的基本性質(zhì)17-19
• 2.1.1 碘化銦的晶體結(jié)構(gòu)17-18
• 2.1.2 碘化銦的能帶結(jié)構(gòu)18-19
• 2.1.3 碘化銦的基本材料性質(zhì)19
• 2.2 晶體缺陷19-23
• 2.2.1 點(diǎn)缺陷19-21
• 2.2.2 線缺陷(位錯(cuò))21-23
• 2.2.3 面缺陷23
• 2.3 薄膜生長(zhǎng)理論概述23-29
• 2.3.1 吸附24-25
• 2.3.2 表面擴(kuò)散25-26
• 2.3.3 凝結(jié)26-27
• 2.3.4 薄膜的形核和生長(zhǎng)27-28
• 2.3.5 連續(xù)薄膜的形成28-29
• 2.4 本章小結(jié)29-30
• 第3章 碘化銦多晶提純30-43
• 3.1 引言30
• 3.2 碘化銦多晶合成30-34
• 3.2.1 碘化銦多晶合成原理30-31
• 3.2.2 氣相生長(zhǎng)法簡(jiǎn)介31-32
• 3.2.3 碘化銦多晶的合成工藝32-34
• 3.3 碘化銦多晶提純34-38
• 3.3.1 晶體提純方法34-37
• 3.3.2 碘化銦多晶提純37-38
• 3.4 碘化銦多晶的提純效果表征38-42
• 3.4.1 X射線粉末衍射分析39-40
• 3.4.2 SEM-EDS分析40-41
• 3.4.3 ICP-AES分析41-42
• 3.5 本章小結(jié)42-43
• 第4章 碘化銦多晶薄膜制備及表征43-54
• 4.1 引言43
• 4.2 多晶薄膜制備43-47
• 4.2.1 薄膜的制備方法43-46
• 4.2.2 碘化銦多晶薄膜制備46-47
• 4.3 碘化銦多晶薄膜的性能表征47-53
• 4.3.1 X射線粉末衍射分析48-50
• 4.3.2 SEM分析50
• 4.3.3 光學(xué)性質(zhì)分析50-53
• 4.4 本章小結(jié)53-54
• 結(jié)論54-56
• 參考文獻(xiàn)56-60
• 攻讀碩士學(xué)位期間承擔(dān)的科研任務(wù)與主要成果60-61
• 致謝61

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 楊定宇;鄭家貴;朱興華;魏昭榮;夏庚培;馮良桓;;CdS多晶薄膜的制備及性質(zhì)研究[J];功能材料;2009年09期

2 李衛(wèi);馮良桓;武莉莉;張靜全;黎兵;雷智;蔡亞平;鄭家貴;蔡偉;張冬敏;;CdS_yTe_(1-y)多晶薄膜的制備及光譜表征[J];光譜學(xué)與光譜分析;2008年03期

3 郝霞;江洪超;趙宇;冷丹;武莉莉;馮良桓;李衛(wèi);張靜全;曾廣根;王文武;;Te摻雜AlSb多晶薄膜的性質(zhì)研究[J];四川大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2012年03期

4 謝建生,李金華,袁寧一,陳漢松,周懿;用摻雜方法改變VO_2多晶薄膜相變溫度研究[J];江蘇工業(yè)學(xué)院學(xué)報(bào);2005年03期

5 阮建明;隋妍萍;李濤;何煒瑜;蔡宏琨;張德賢;;共蒸發(fā)制備GaSb多晶薄膜的研究[J];功能材料;2012年04期

6 袁寧一,李金華,李格;離子束增強(qiáng)沉積VO_2多晶薄膜的相變模擬[J];功能材料與器件學(xué)報(bào);2004年03期

7 徐成剛;賴欣;崔春華;畢劍;高道江;;室溫不可逆原電池技術(shù)制備BaMoO_4多晶薄膜(英文)[J];四川師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2009年02期

8 蔣曉龍,徐慶宇,桑海,都有為;不同厚度的La_(2/3)Sr_(1/3)MnO_3多晶薄膜輸運(yùn)性質(zhì)研究[J];功能材料;2003年02期

9 陳曉東;武衛(wèi)兵;陳寶龍;張楠楠;;CdS多晶薄膜的制備及其性能[J];濟(jì)南大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2014年05期

10 李玉紅,張弘,李振生,李丹民,賀德衍;真空蒸發(fā)法制備PbI_2多晶薄膜研究[J];無(wú)機(jī)材料學(xué)報(bào);2005年05期

中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前8條

1 陳湘明;章薇;;PLD沉積Ba(Fe0.5Nb0.5)O3薄膜及其鐵電與介電性能[A];2011中國(guó)材料研討會(huì)論文摘要集[C];2011年

2 張靜全;武莉莉;邵燁;周心明;馮良桓;蔡偉;鄭家貴;J.Tang;蔡亞平;黎兵;;ZnTe:Cu多晶薄膜的結(jié)構(gòu)與反常電導(dǎo)溫度行為研究[A];中國(guó)第六屆光伏會(huì)議論文集[C];2000年

3 楊定宇;朱興華;魏昭榮;高秀英;楊維清;楊軍;;CdS多晶薄膜的制備與光學(xué)性質(zhì)研究[A];第15屆全國(guó)晶體生長(zhǎng)與材料學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2009年

4 張弘;李玉紅;李振生;賀德衍;;輻射探測(cè)器材料PbI_2多晶薄膜的制備研究[A];第11屆全國(guó)發(fā)光學(xué)學(xué)術(shù)會(huì)議論文摘要集[C];2007年

5 王嬌;張志軍;趙景泰;陳昊鴻;楊昕昕;;水熱化學(xué)溶液法沉積Eu~(3+)摻雜Y_2O_3多晶薄膜及發(fā)光性能研究[A];中國(guó)晶體學(xué)會(huì)第四屆全國(guó)會(huì)員代表大會(huì)暨學(xué)術(shù)會(huì)議學(xué)術(shù)論文摘要集[C];2008年

6 阮建明;隋妍萍;李濤;蔡宏琨;張德賢;;襯底溫度對(duì)GaSb多晶薄膜的影響[A];第29屆全國(guó)化學(xué)與物理電源學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2011年

7 楊凱;武莉莉;張靜全;馮良桓;雷智;王靜雅;徐福;施瓊;蔡偉;李衛(wèi);蔡亞平;黎兵;鄭家貴;;AlSb多晶薄膜的性質(zhì)表征[A];第十屆中國(guó)太陽(yáng)能光伏會(huì)議論文集：迎接光伏發(fā)電新時(shí)代[C];2008年

8 嚴(yán)鋒;王業(yè)寧;顧民;李仲;楊震;;顆粒尺寸對(duì)多晶C_(60)薄膜有序-無(wú)序相變引起的內(nèi)耗峰的影響[A];內(nèi)耗與超聲衰減——第五屆全國(guó)固體內(nèi)耗與超聲衰減學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];1997年

中國(guó)博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前2條

1 劉建;BiFeO_3基多鐵材料的光電及磁學(xué)特性研究[D];華東師范大學(xué);2016年

2 張靜全;碲化鎘及相關(guān)化合物多晶薄膜與碲化鎘太陽(yáng)電池研究[D];四川大學(xué);2002年

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前5條

1 張磊;碘化銦多晶提純及薄膜制備[D];燕山大學(xué);2016年

2 朱虹;有機(jī)多晶薄膜的生長(zhǎng)機(jī)理研究[D];蘇州大學(xué);2012年

3 李瑩;ZnS1-x Tex(0≤X≤1)多晶薄膜的制備及特性研究[D];暨南大學(xué);2001年

4 邵燁;Cd_（1-x）Zn_xTe多晶薄膜的制備、性能研究與光伏應(yīng)用[D];四川大學(xué);2002年

5 付浪;碲化鎘太陽(yáng)電池及相關(guān)薄膜的電子輻照特性研究[D];四川大學(xué);2007年

，

本文編號(hào)：658902