新型的二維層狀材料憑借著其優(yōu)異的機(jī)械、光學(xué)、電學(xué)等獨(dú)特性能受到研究者廣泛關(guān)注,二維層狀材料如石墨烯、過渡金屬硫族化合物等在柔性器件等領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用前景,逐漸成為了現(xiàn)階段研究熱點(diǎn)之一;然而,應(yīng)用的前提是高質(zhì)量的二維材料大面積可控制備,如何制備形貌較好,尺寸較大的二維材料是亟待解決的問題。已經(jīng)有初步的研究證明,反應(yīng)過程中反應(yīng)參數(shù)的變化對二維材料的制備形貌有明顯的影響。對此,本文以二硫化鉬(MoS2)作為研究對象,進(jìn)一步研究不同反應(yīng)參數(shù)對二維二硫化鉬生長的影響。通常將不同材料相結(jié)合形成異質(zhì)結(jié)體系可以彌補(bǔ)單一材料的不足,獲得協(xié)同互補(bǔ)效應(yīng),新型二維材料與有機(jī)半導(dǎo)體形成異質(zhì)結(jié)也受到越來越多的關(guān)注,二者的結(jié)合展現(xiàn)出與個(gè)體材料不同的光學(xué)電學(xué)特性。之前,有工作報(bào)道了一些有機(jī)半導(dǎo)體與二維二硫化鉬的結(jié)合,但對有機(jī)/無機(jī)異質(zhì)結(jié)體系的熒光性能研究較少。因此,有必要研究二維材料與有機(jī)半導(dǎo)體復(fù)合前后體系熒光性能的變化。論文第一章主要介紹過渡金屬二硫族化合物二維材料的基本性質(zhì)和常見的制備方法,以及二維材料與不同有機(jī)物結(jié)合在不同領(lǐng)域中的應(yīng)用。論文的第二章考察了不同反應(yīng)溫度和不同硫濃度對二維二硫化鉬生長的影響。不同反應(yīng)...

【文章頁數(shù)】：82 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１．１基于ＩＶ族和ＩＩＩ－Ｖ族的ＭＸ２化合物的穩(wěn)定性和半導(dǎo)體性能的概括圖

器件以及生物探測等多種領(lǐng)域％１１］。??過渡金屬硫族化合物是一類具有ＭＸ２層狀結(jié)構(gòu)的材料，其中Ｘ代表硫族元素，Ｍ代??表在元素周期表內(nèi)位于第四族到第十族之間的過渡金屬元素。圖１．１為基于ＩＶ族和ＩＩＩ－Ｖ??族的ＭＸ２化合物的穩(wěn)定性和半導(dǎo)體性能的概括圖，從圖中可知較為常見的可以制....

圖１．２?（ａ）層狀Ｍ〇Ｓ２的原子結(jié)構(gòu)；（ｂ）層狀ＭｏＳ２的蜂窩狀點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)俯視圖

二硫化鑰（ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍｄｉｓｕｌｆｉｄｅ，?Ｍ０Ｓ２）作為一種較為典型的過渡金屬二硫族化合物??逐漸成為研究熱點(diǎn)。與零帶隙石墨烯相比較，二硫化鉬作為一種半導(dǎo)體材料具有間接帶隙，??且?guī)秾挒椋保玻?ｅＶ［１２］：硫化鉬的結(jié)構(gòu)為六方晶體層狀結(jié)構(gòu)（圖１．２），圖１．２ａ為層....

圖１．４?（ａ）機(jī)械剝離法得到的單層、雙層ＭｏＳ２片層的熒光光譜，插圖為１層到６層ＭｏＳ２??片層的熒光量子產(chǎn)率；（ｂ）?ＭｏＳ２的能帶結(jié)化示，ＥＭｏＳ２

及特殊的光學(xué)特性主要與形成ＭｏＳ２導(dǎo)帶與價(jià)帶的ｄ電子軌道有關(guān)［１８］。當(dāng)Ｍ０Ｓ２為塊狀時(shí)，??電子躍遷從價(jià)帶頂ｒ處躍遷到位于Ｋ／ｒ之間的導(dǎo)帶底；當(dāng)Ｍ〇ｓ２為單層時(shí)，能帶結(jié)構(gòu)由間??接帶隙轉(zhuǎn)變?yōu)橹苯訋�，如圖１．４ｂ所不。??（ａ），＿＿■一一?＿■???（ｂ）Ｈ＿＿＂???Ｈ??....

圖１．５?（ａ）?Ｓｉ／Ｓｉ０２表面生長單層ＭｏＳ２的拉曼光譜；（ｂ）?Ｓｉ〇２表面生長單層ＭｏＳ２的熒光??光譜

第一章緒論??單層二硫化鉬的結(jié)構(gòu)性能表征也是一大研究熱點(diǎn)，比較常用的為拉曼光譜表征和熒光??光譜表征。圖１．５ａ為單層ＭｏＳ２的拉曼光譜，在波數(shù)為３８５?ｃｍ－１和４０５?〇１＾附近出現(xiàn)兩個(gè)??拉曼特征峰，可分別歸于Ｍｏ－Ｓ的面內(nèi)振動Ｅ、峰和面內(nèi)振動八１８峰［２（）］。一般通過兩....

本文編號：4030407