坡縷石/金屬氧化物復合材料的制備及光催化性能研究
【文章頁數(shù)】:97 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.1光催化劑的降解機理Fig.1.1Degradationmechanismofphotocatalyst
第1章緒論3小,只有高能量的光子才能激發(fā)半導體。其中,禁帶寬度和吸收閾之間存在定量經(jīng)驗公式:Eg=1240/λ[43]。光照下,半導體光催化劑吸收光的能量,當吸收的能量大于其帶隙寬度的能量時,價帶上的電子受到激發(fā)穿過禁帶向?qū)кS遷,導帶上產(chǎn)生光生電子(e-),而相應(yīng)的價帶上留下空....
圖1.2部分半導體材料的能帶圖
第1章緒論4圖1.2部分半導體材料的能帶圖Fig.1.2Energybandpartiallysemiconductormaterials2.半導體材料的比表面積在光催化反應(yīng)中能夠存在更多活性位點的體系有利于光催化反應(yīng),所以,其比表面積的大小對光催化反應(yīng)有顯著的影響[48],比表....
圖1.3ZnO晶體結(jié)構(gòu):立方巖鹽(a)、立方閃鋅礦(b)和六方纖鋅礦(c)
第1章緒論10圖1.3ZnO晶體結(jié)構(gòu):立方巖鹽(a)、立方閃鋅礦(b)和六方纖鋅礦(c)Fig.1.3ZnOcrystalstructures:cubicrocksalt(a),cubiczincblende(b)andhexagonalwurtzite(c)[118]1.6論文....
圖2.2Zn-Mg-Al(4:1:1)LDH(a)、Zn-Mg-Al(4:1:1)LDO(b)、calcinedPGS(c)and3%PGS/Zn-Mg-Al(4:1:1)LDO(d)的XRD圖譜
第2章坡縷石/Zn-Mg-Al金屬氧化物復合材料的制備及可見光催化性能的研究16PGS/Zn-Mg-Al(4:1:1)LDO(d)的XRD圖譜如圖2.2所示。Zn-Mg-Al(4:1:1)LDH中2θ為11.71°、23.31°、34.75°、39.15°、46.52°、60.4....
本文編號:3921135
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