利用三聚氰胺制備石墨相的氮化碳,即g-C₃N₄,以氯化鎳和g-C₃N₄為基礎物質(zhì)采用電沉積方法制備復合化學修飾電極。通過對裸電極、Ni O/GCE、g-C₃N₄/GCE和NiO/g-C₃N₄/GCE對抗壞血酸的催化效果的比較,發(fā)現(xiàn)NiO和g-C₃N₄的復合修飾電極對抗壞血酸具有良好的電催化氧化作用。掃描速率在70²00 m V/s范圍內(nèi),峰電流與掃描速率呈良好的線性關系:I_pa=-34.14-1.167v,R=0.998;I_pc=53.42+0.357 8v,R=0.982。峰電位隨掃描速率增大有一定的偏移,說明該修飾電極的氧化還原過程受表面控制。當抗壞血酸的質(zhì)量濃度介于0.017 6²2.88μg/m L時,其氧化峰電流與質(zhì)量濃度具有良好的線性關系,方程為:I_pa

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【文章目錄】：
引文格式:
1 材料與方法
    1.1 材料與試劑
    1.2 儀器與設備
    1.3 方法
        1.3.1 g-C3N4的制備
        1.3.2 修飾電極的制備
2 結果與分析
    2.1 合成g-C3N4的掃描電子顯微鏡表征
    2.2 電極的制備過程
    2.3 抗壞血酸在不同電極上的電化學行為
    2.4 實驗條件的優(yōu)化
        2.4.1 滴涂體積及電沉積圈數(shù)的選擇
        2.4.2 支持電解質(zhì)p H值的影響
        2.4.3 掃描速率的影響
    2.5 電催化檢測抗壞血酸
        2.5.1 電催化
        2.5.2 線性范圍與檢出限結果
    2.6 選擇性、重復性和穩(wěn)定性結果
    2.7 實際果汁樣品檢測結果
3 結論



本文編號：3870605