采用水相法合成了Cu摻雜CdTe量子點(diǎn),并用CdS殼層進(jìn)行包覆,得到了Cu∶CdTe/CdS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)。采用熒光發(fā)射光譜(FL)、紫外可見吸收光譜(UV-Vis)、透射電鏡(TEM)以及能譜儀(EDS)等手段對CdTe量子點(diǎn)和Cu∶CdTe/CdS核殼量子點(diǎn)進(jìn)行了表征。研究了不同Cu摻雜濃度、CdS殼層生長時(shí)間以及Cd/硫脲物質(zhì)的量比對Cu∶CdTe摻雜量子點(diǎn)光學(xué)性能的影響,并采用人成骨肉瘤細(xì)胞(MG-63細(xì)胞)對樣品做了細(xì)胞毒性分析。研究結(jié)果表明:通過摻雜和包殼的步驟,合成的Cu∶CdTe/CdS核殼量子點(diǎn)在CdTe量子點(diǎn)的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了熒光發(fā)射紅移,熒光強(qiáng)度提高,以及細(xì)胞毒性降低。

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)
    1.1 試劑及儀器
    1.2 實(shí)驗(yàn)過程
        1.2.1 MPA包裹的CdTe量子點(diǎn)的制備
        1.2.2 Cu∶CdTe量子點(diǎn)的制備
        1.2.3 Cu∶CdTe/CdS核殼量子點(diǎn)的制備
        1.2.4 CdTe和Cu∶CdTe/CdS量子點(diǎn)的MTT測試
2 結(jié)果與討論
    2.1 CdTe與Cu∶CdTe/CdS量子點(diǎn)的分析
        2.1.1 光譜結(jié)果分析
        2.1.2 TEM結(jié)果分析
        2.1.3 EDS結(jié)果分析
    2.2 不同Cu摻雜濃度對Cu∶CdTe量子點(diǎn)光學(xué)性質(zhì)的影響
    2.3 CdS殼層生長過程中Cu∶CdTe/CdS量子點(diǎn)光學(xué)性質(zhì)的變化
    2.4 Cd/硫脲物質(zhì)的量比對Cu∶CdTe/CdS核殼量子點(diǎn)光學(xué)性質(zhì)的影響
    2.5 細(xì)胞毒性檢測
3 結(jié)論



本文編號(hào)：3795855