發(fā)布時間：2022-12-09 21:26

　　用第一性原理計算硅烯在N和S原子共摻雜時的能帶及電子態(tài)密度,并研究硅烯量子電容與不同摻雜構(gòu)型間的關系.結(jié)果表明:引入N/S和N/B共摻雜原子可導致Fermi能級處產(chǎn)生局域態(tài);在-0.6～0.6 V內(nèi),用NSS,NS,NBB,NNB和NB摻雜硅烯的量子電容均增加,其中NSS摻雜單空位硅烯在Fermi能級附近,其量子電容為43.9μF/cm~2,量子電容增加明顯. 

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【文章目錄】：
1 計算方法和結(jié)構(gòu)模型
2 結(jié)果與討論



本文編號：3715402