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PEEM/LEEM技術(shù)在兩維原子晶體表面物理化學(xué)研究中的應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2021-12-09 20:44
  光發(fā)射電子顯微鏡(PEEM)/低能電子顯微鏡(LEEM)技術(shù)能夠原位實(shí)時(shí)對(duì)表面結(jié)構(gòu)、表面電子態(tài)和表面化學(xué)進(jìn)行動(dòng)態(tài)成像研究,在催化、能源、納米、材料等領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用。本文著重介紹這兩種技術(shù)的新進(jìn)展,以及該技術(shù)在兩維原子晶體的表面物理化學(xué)研究中的應(yīng)用;包括原位研究兩維原子晶體(石墨烯、氮化硼等)的生長、異質(zhì)結(jié)構(gòu)的形成、兩維原子晶體表面下的插層反應(yīng)和限域催化反應(yīng);將表面原位成像、微區(qū)低能電子衍射(μ-LEED)、圖像亮度隨電子束能量變化(I-V)曲線研究與其它表面表征技術(shù)相結(jié)合,能夠有效理解兩維層狀材料表面以及層狀材料與襯底界面上的動(dòng)態(tài)過程。 

【文章來源】:物理化學(xué)學(xué)報(bào). 2016,32(01)北大核心SCICSCD

【文章頁數(shù)】:12 頁

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]深紫外激光光發(fā)射電子顯微鏡(PEEM)[J]. 曹凝,傅強(qiáng),包信和.  中國科學(xué)院院刊. 2012(01)



本文編號(hào):3531280

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