新型銥氧化物SrIr 2 O 6 與其他材料的晶體生長及物性研究
發(fā)布時間:2021-10-16 13:54
對新材料探索與物性的研究是凝聚態(tài)物理方面重要的研究方向。三十多年前,銅氧化物高溫超導和量子霍爾效應的發(fā)現(xiàn),帶動了強關聯(lián)和拓撲領域的巨大發(fā)展,F(xiàn)如今,強關聯(lián)體系和拓撲材料的研究層出不窮。在這些研究中,單晶生長成為了最核心的組成部分。本工作也對該領域的材料進行了制備和研究。在本文中,通過以單晶生長為主,結合物理性質測量及角分辨光電子能譜(ARPES)等測量手段,對本工作中所制備材料的晶體結構、物理性質及電子能帶結構進行了詳細闡述。本文的主要內容如下:1、SrIr2O6多晶和單晶的生長與物性研究。物性測量表明SrIr2O6多晶在高溫時表現(xiàn)出居里-外斯行為,隨著溫度的降低,電阻率也隨之增大,比熱測量發(fā)現(xiàn),該材料在降到0.05 K時,依然沒有發(fā)現(xiàn)磁有序,其低溫磁性表現(xiàn)出無能隙的順磁行為,如磁化率和零場比熱的冪律行為等。單晶樣品的成功制備對SrIr2O6本征物理性質及其各向異性的認識具有重要意義。本工作也對SrIr2O6單晶...
【文章來源】:信陽師范學院河南省
【文章頁數(shù)】:64 頁
【學位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第1章 引言
1.1 隨機單態(tài)
1.2 拓撲絕緣體
第2章 樣品的制備及測試方法
2.1 單晶及其生長方法
2.1.1 背景簡介
2.1.2 單晶生長方法
2.2 樣品的物相表征方法
2.2.1 X射線衍射分析
2.2.2 電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜分析
2.2.3 掃描電子顯微鏡和能量譜儀分析
2.2.4 X射線吸收光譜分析
2.3 樣品的物性測量
2.3.1 MPMS磁性測量系統(tǒng)
2.3.2 PPMS物性測量系統(tǒng)
2.4 本章小結
第3章 SrIr_2O_6 樣品的制備和物性研究
3.1 研究背景
3.2 SrIr_2O_6 的樣品制備
3.2.1 SrIr_2O_6 的多晶樣品制備
3.2.2 SrIr_2O_6 的單晶樣品制備
3.3 SrIr_2O_6 樣品的結構及物相表征
3.3.1 SrIr_2O_6 多晶樣品的結構及物相表征
3.3.2 SrIr_2O_6 單晶樣品的結構及物相表征
3.4 SrIr_2O_6 樣品的基本物性
3.4.1 SrIr_2O_6 多晶樣品的物性測量及分析
3.4.2 SrIr_2O_6 單晶樣品的物性測量及分析
3.5 本章小結
第4章 EuSn_2As_2 的單晶生長和物性研究
4.1 研究背景
4.2 EuSn_2As_2 的單晶生長
4.3 EuSn_2As_2 的結構及物相表征
4.3.1 XRD物相分析
4.3.2 EDX物相分析
4.3.3 ICP化學元素分析
4.4 EuSn_2As_2 的磁性測量及分析
4.5 EuSn_2As_2 的電子能帶結構測量及分析
4.6 本章小結
第5章 單層和雙層MoS_2 薄膜的制備及表征
5.1 研究背景
5.2 單層和雙層MoS_2 的生長
5.3 單層和雙層MoS_2 的測試
5.4 本章小結
第6章 總結及展望
參考文獻
攻讀學位期間獲得與學位論文相關的科研成果目錄
致謝
【參考文獻】:
期刊論文
[1]Experimental Realization of an Intrinsic Magnetic Topological Insulator[J]. 龔演,郭景文,李佳恒,朱科靜,廖孟涵,劉效治,張慶華,谷林,唐林,馮硝,張定,李渭,宋燦立,王立莉,于浦,陳曦,王亞愚,姚宏,段文暉,徐勇,張首晟,馬旭村,薛其坤,何珂. Chinese Physics Letters. 2019(07)
[2]不同類型固體材料能帶結構的分析與比較[J]. 李平. 科技視界. 2018(14)
[3]ICP-AES的工作原理與維護保養(yǎng)[J]. 王海燕. 電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗. 2010(04)
[4]拓撲絕緣體及其研究進展[J]. 葉飛,蘇剛. 物理. 2010(08)
[5]利用菱鎂礦制備碳酸鎂晶須[J]. 陳敏,李月圓,王健東,陳慶武,崔虹旭,申瑩瑩. 硅酸鹽學報. 2009(10)
[6]帶能譜分析的掃描電子顯微鏡在材料分析中的應用[J]. 王英姿,侯憲欽. 制造技術與機床. 2007(09)
[7]物理性質測量系統(tǒng)(PPMS)的原理及其應用[J]. 張焱,高政祥,高進,曹立志. 現(xiàn)代儀器. 2004(05)
[8]磁性測量儀器(MPMS-XL)的原理及其應用[J]. 張焱,高政祥,高進,曹立志. 現(xiàn)代儀器. 2003(05)
[9]用X射線粉末衍射法測定晶體結構[J]. 梁敬魁. 物理. 1985(02)
本文編號:3439926
【文章來源】:信陽師范學院河南省
【文章頁數(shù)】:64 頁
【學位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第1章 引言
1.1 隨機單態(tài)
1.2 拓撲絕緣體
第2章 樣品的制備及測試方法
2.1 單晶及其生長方法
2.1.1 背景簡介
2.1.2 單晶生長方法
2.2 樣品的物相表征方法
2.2.1 X射線衍射分析
2.2.2 電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜分析
2.2.3 掃描電子顯微鏡和能量譜儀分析
2.2.4 X射線吸收光譜分析
2.3 樣品的物性測量
2.3.1 MPMS磁性測量系統(tǒng)
2.3.2 PPMS物性測量系統(tǒng)
2.4 本章小結
第3章 SrIr_2O_6 樣品的制備和物性研究
3.1 研究背景
3.2 SrIr_2O_6 的樣品制備
3.2.1 SrIr_2O_6 的多晶樣品制備
3.2.2 SrIr_2O_6 的單晶樣品制備
3.3 SrIr_2O_6 樣品的結構及物相表征
3.3.1 SrIr_2O_6 多晶樣品的結構及物相表征
3.3.2 SrIr_2O_6 單晶樣品的結構及物相表征
3.4 SrIr_2O_6 樣品的基本物性
3.4.1 SrIr_2O_6 多晶樣品的物性測量及分析
3.4.2 SrIr_2O_6 單晶樣品的物性測量及分析
3.5 本章小結
第4章 EuSn_2As_2 的單晶生長和物性研究
4.1 研究背景
4.2 EuSn_2As_2 的單晶生長
4.3 EuSn_2As_2 的結構及物相表征
4.3.1 XRD物相分析
4.3.2 EDX物相分析
4.3.3 ICP化學元素分析
4.4 EuSn_2As_2 的磁性測量及分析
4.5 EuSn_2As_2 的電子能帶結構測量及分析
4.6 本章小結
第5章 單層和雙層MoS_2 薄膜的制備及表征
5.1 研究背景
5.2 單層和雙層MoS_2 的生長
5.3 單層和雙層MoS_2 的測試
5.4 本章小結
第6章 總結及展望
參考文獻
攻讀學位期間獲得與學位論文相關的科研成果目錄
致謝
【參考文獻】:
期刊論文
[1]Experimental Realization of an Intrinsic Magnetic Topological Insulator[J]. 龔演,郭景文,李佳恒,朱科靜,廖孟涵,劉效治,張慶華,谷林,唐林,馮硝,張定,李渭,宋燦立,王立莉,于浦,陳曦,王亞愚,姚宏,段文暉,徐勇,張首晟,馬旭村,薛其坤,何珂. Chinese Physics Letters. 2019(07)
[2]不同類型固體材料能帶結構的分析與比較[J]. 李平. 科技視界. 2018(14)
[3]ICP-AES的工作原理與維護保養(yǎng)[J]. 王海燕. 電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗. 2010(04)
[4]拓撲絕緣體及其研究進展[J]. 葉飛,蘇剛. 物理. 2010(08)
[5]利用菱鎂礦制備碳酸鎂晶須[J]. 陳敏,李月圓,王健東,陳慶武,崔虹旭,申瑩瑩. 硅酸鹽學報. 2009(10)
[6]帶能譜分析的掃描電子顯微鏡在材料分析中的應用[J]. 王英姿,侯憲欽. 制造技術與機床. 2007(09)
[7]物理性質測量系統(tǒng)(PPMS)的原理及其應用[J]. 張焱,高政祥,高進,曹立志. 現(xiàn)代儀器. 2004(05)
[8]磁性測量儀器(MPMS-XL)的原理及其應用[J]. 張焱,高政祥,高進,曹立志. 現(xiàn)代儀器. 2003(05)
[9]用X射線粉末衍射法測定晶體結構[J]. 梁敬魁. 物理. 1985(02)
本文編號:3439926
本文鏈接:http://www.sikaile.net/kejilunwen/huaxue/3439926.html
教材專著