含有硫/硒（S/Se）元素的部分化合物在現(xiàn)有中紅外非線性晶體材料中占據(jù)相當(dāng)重要的地位。高純多晶原料是生長(zhǎng)優(yōu)質(zhì)S/Se光學(xué)晶體的基礎(chǔ),但常規(guī)合成方法存在周期長(zhǎng)、數(shù)量少等缺點(diǎn)。為此,針對(duì)部分S/Se化合物,我們對(duì)傳統(tǒng)的合成方法進(jìn)行優(yōu)化、改進(jìn),實(shí)現(xiàn)GaSe,AgGaSe₂,AgGaGeS₄,AgGaGe₅Se₁₂等的快速合成,單次合成原料200³00g,合成周期小于48h,經(jīng)過(guò)粉末衍射（XRD）測(cè)試表明合成的原料質(zhì)量較好,能夠生長(zhǎng)出較大尺寸單晶。文中對(duì)快速合成方法的機(jī)理、存在的問(wèn)題等也進(jìn)行了相關(guān)討論。 

【文章來(lái)源】：人工晶體學(xué)報(bào). 2016,45(04)北大核心CSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【文章目錄】：
1 引言
2 實(shí)驗(yàn)
    2. 1 合成方法簡(jiǎn)介
    2. 2 Ga Q,Ag Ga Q2,Ag Ga GenS2( n + 1)( Q = S,Se) 等的原料合成
3 結(jié)果與討論
    3. 1 多晶原料測(cè)試
    3. 2 快速合成方法的反應(yīng)過(guò)程及影響因素研究
        3. 2. 1 快速合成方法的反應(yīng)過(guò)程
        3. 2. 2 快速合成方法制備的多晶原料品質(zhì)影響因素分析
            (1)S/Se配比影響
            ( 2) 升溫溫度的影響
            ( 3) 降溫程序的影響
    3. 3 快速合成方法的優(yōu)點(diǎn)
    3. 4 合成方法的不足
4 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]紅外非線性光學(xué)晶體研究進(jìn)展[J]. 張國(guó)棟,王善朋,陶緒堂.  人工晶體學(xué)報(bào). 2012(S1)
[2]坩堝旋轉(zhuǎn)下降法生長(zhǎng)硒鎵銀單晶體[J]. 趙北君,朱世富,李正輝,傅師申,于豐亮,李奇峰.  人工晶體學(xué)報(bào). 1999(04)



本文編號(hào)：3431947