發(fā)布時間：2021-08-23 22:38

　　采用基于色散修正的平面波超軟贗勢方法研究了二硫化鉬/石墨烯異質(zhì)結(jié)的界面結(jié)合作用及其對電荷分布和帶邊電位的影響.研究表明二硫化鉬與石墨烯之間可以形成范德瓦耳斯力結(jié)合的穩(wěn)定堆疊結(jié)構(gòu).通過能帶結(jié)構(gòu)計算,發(fā)現(xiàn)二硫化鉬與石墨烯的耦合導致二硫化鉬成為n型半導體,石墨烯轉(zhuǎn)變成小帶隙的p型體系.并通過電子密度差分圖證實了界面內(nèi)二硫化鉬附近聚集負電荷,石墨烯附近聚集正電荷,界面內(nèi)形成的內(nèi)建電場可以抑制光生電子-空穴對的復合.石墨烯的引入可以調(diào)制二硫化鉬的能帶,使其導帶底上移至-0.31 eV,提高了光生電子還原能力,有利于光催化還原反應. 

【文章來源】：物理學報. 2017,66(08)北大核心EISCICSCD

【文章頁數(shù)】：10 頁

【部分圖文】：

圖１?（網(wǎng)刊彩色）兩種單層二硫化鉬／石墨烯異質(zhì)結(jié)匹配??模型的頂視圖（ａ）單層二硫化鉬３?Ｘ?３超胞與石墨烯??

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型Ａ的單位韁型Ａ為例，計算了異質(zhì)結(jié)的能帯結(jié)構(gòu)和態(tài)密度．??面積界面形成能（結(jié)合能）僅為Ｌ３２３?ｅＶ／ｎｍ２，在典?＿４為體相二硫化鉬、單層二硫化鉬、石墨烯以及二??型范德瓦耳斯結(jié)合能數(shù)值（１Ｊ５?—?２．１?ｅＶ／ｒｎｎ２）范圍?硫化鉬／石墨烯異質(zhì)結(jié)的能帶豬構(gòu)．可以：看ＡＭ本相??＿?＿??＾?〇－Ｎ?：－－－－－：?＾?：?；?＾?＝?１６０ｅＶ??纖??Ｇ?Ｆ?Ｑ?Ｇ?Ｇ?Ｆ?Ｑ?Ｇ??：聞：關(guān)??……魏……Ｉ。：……於??Ｇ?Ｆ?Ｑ?Ｇ?Ｇ?ｐ?Ｑ?Ｇ??圖４?（網(wǎng)刊彩色）體相二硫化鉬（ａ）、單層二硫化鉬（ｂ）、石墨烯（ｃ）及二硫化鉬／石墨烯異質(zhì)結(jié)（ｄ）的能帶結(jié)構(gòu)圖??Ｆｉｇ．?４．?（ｃｏｌｏｒ?ｏｎｌｉｎｅ）?Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ?ｂａｎｄ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ?ｏｆ?（ａ）?Ｍ０Ｓ２?ｂｕｌｋ，?（ｂ）?Ｍ０Ｓ２?ｍｏｎｏｌａｙｅｒ，?（ｃ）?ｇｒａｐｈｅｎｅ?ａｎｄ??（ｄ）?Ｍ０Ｓ２／ｇｒａｐｈｅｎｅ?ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ．?Ｔｈｅ?Ｆｅｒｍｉ?ｌｅｖｅｌｓ?ａｒｅ?ｓｅｔ?ｔｏ?ｚｅｒｏ?ａｎｄ?ｍａｒｋｅｄ?ｂｙ?ｒｅｄ?ｄｏｔｔｅｄ?ｌｉｎｅｓ．??０８７１０１－４??

【參考文獻】：
期刊論文
[1]應變對單層二硫化鉬能帶影響的第一性原理研究[J]. 吳木生,徐波,劉剛,歐陽楚英.  物理學報. 2012(22)



本文編號：3358719