半導體光催化材料在能源及環(huán)境等領域均有廣泛應用前景。石墨相氮化碳（g-C₃N₄）由于其不含金屬元素、良好的可見光響應、合適的能帶結構以及穩(wěn)定的熱力學性質(zhì)等特點,常被用作光催化降解有機污染物以及光催化產(chǎn)氫等領域。然而,由一般燒結法制得的塊狀g-C₃N₄粉體材料面臨著以下幾個缺點:第一,光激發(fā)產(chǎn)生的電子和空穴易復合,可見光吸收范圍有限（λ<450nm）;第二,尺寸大,比表面積低,在液相環(huán)境中易團聚,不利于分離回收。為了解決上述問題,本文以g-C₃N₄為研究對象,利用具有超長一維結構納米纖維為載體,結合靜電紡絲技術以及浸漬法制備了兼具高活性及高穩(wěn)定性的g-C₃N₄基復合納米纖維光催化材料,具體研究內(nèi)容為:（1）利用靜電紡絲技術將g-C₃N₄納米結構均勻地負載在PVP/TEOS/g-C₃N₄納米纖維中,通過煅燒過程獲得了SiO<... 

【文章來源】：東北師范大學吉林省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：60 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

半導體光催化簡明機理圖

光催化材料的發(fā)展jishima 和 Honda 利用 TiO2發(fā)現(xiàn)了光催化分解水的作用[2利用 TiO2懸浮顆�？梢匝趸到庖恍┯袡C污染物，使這機小分子[21]。然而，半導體光催化技術對太陽光的利用半導體吸光范圍局限于紫外光區(qū)域，而紫外光在地球上如 ZnO 的帶隙為 3.37 eV(圖 1.2)，對應的最大吸收波長為小部分太陽光進行光催化反應，這極大抑制了寬帶隙半

BiVO42.4-2.50.34 (Eg=2.4) 2.74Bi2O2CO33.1-3.3[52,53]0.31 (Eg=3.1) 3.41iOX BiOF 3.6[54]0.60 4.20BiOCl 3.5[55]0.15 3.65BiOBr 2.6[55,56]0.41 3.01BiOI 1.8-1.9[55,56]0.57 (Eg=1.8) 2.36BiO3NaBiO32.6[57]-0.29 2.31KBiO32.1[58]-0.20 1.90LiBiO31.8[58]0.18 1.98AgBiO32.5[59]0.28 2.78 1.3 看出，BiOI 呈現(xiàn)層狀結構，[Bi2O2]+層與 I 原子雙層相互交錯形成了，帶正電的 [Bi2O2]+層與帶負電的 I-離子層間存在內(nèi)部靜電場，同時層價鍵，層間具有弱的范德瓦爾斯力，這一種晶體結構特性使 BiOI 具有高優(yōu)良的電學和光學性質(zhì)。

【參考文獻】：
期刊論文
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碩士論文
[1]g-C3N4及其復合材料的制備及光降解性能的研究[D]. 李冬花.山西大學 2013



本文編號：3355943