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介觀結(jié)構多孔配位晶體及衍生物鈉、鉀離子存儲性質(zhì)研究

發(fā)布時間:2021-07-13 00:44
  多孔配位晶體內(nèi)富含結(jié)構可調(diào)的微納空腔,在客體分子、離子的存儲與分離等領域有著重要的應用價值。通過電化學氧化還原,多孔配位晶體及其衍生物可實現(xiàn)鈉、鉀離子的可逆存儲,被視為鈉、鉀離子電池的理想電極材料。固體離子學指出,多孔配位晶體的離子存儲行為主要受分子組成、晶體結(jié)構等因素影響。然而,研究實踐表明,不同尺寸、介觀形貌的多孔配位晶體往往表現(xiàn)出多樣的離子存儲動力學或性能。因此,需要精確控制多孔配位晶體的介觀結(jié)構,并研究介觀結(jié)構多孔配位晶體的鈉、鉀離子存儲。本論文圍繞多孔配位晶體及其衍生物,嘗試厘清介觀結(jié)構與多孔配位晶體的鈉、鉀離子存儲機制的關聯(lián),在此基礎上開發(fā)高性能的鈉、鉀離子電池電極。主要內(nèi)容如下:1.Ni3[Fe(CN)6]2晶體介觀尺寸的調(diào)控及其對鈉離子存儲的影響;趯Y(jié)晶動力學的調(diào)控,利用檸檬酸三鈉與金屬離子作用,減緩結(jié)晶速率,實現(xiàn)了普魯士藍類配位晶體尺寸的可調(diào)。我們在Ni2+與K3Fe(CN)6反應的溶液中加入了檸檬酸三鈉。通過調(diào)節(jié)檸檬酸三鈉的用量(2... 

【文章來源】:華東師范大學上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:139 頁

【學位級別】:博士

【部分圖文】:

介觀結(jié)構多孔配位晶體及衍生物鈉、鉀離子存儲性質(zhì)研究


(a-c)Si@HKUST-1的合成示意圖以及掃描電鏡圖片

示意圖,合成機理,納米,示意圖


圖 1.3(a)bis(dipyrrinato)zinc(II)納米片合成機理示意圖。bis(dipyrrinato)zinc(II)納米片的(b)掃描電鏡圖片。(c)透射電鏡圖片。(d)原子力顯微鏡圖片[42]。除了構筑二維限域界面以外,剝離層狀多孔配位晶體也是合成二維納米片的有效方法。Peng 等人[44]首先合成了 Zn2(bim)4晶體。Zn2(bim)4具有層狀的晶體結(jié)構。之后,采用先濕磨再超聲剝離的方法合成了 1.12 nm 的超薄 Zn2(bim)4納米片。Tan 等人[45]也采用超聲剝離的方法,實現(xiàn)了層狀晶體 MnDMS 的剝離,合成了 MnDMS 納米片(MnDMS:金屬離子 Mn2+與 2,2-二甲基琥珀酸組成)。引入配位絡合劑也是合成二維納米片的有效手段。Hu 等人[46]使用檸檬酸三鈉作為反應速率調(diào)控劑,合成了 10 nm 的二維 Ni[Ni(CN)4]納米片。絡合劑通過與金屬離子作用實現(xiàn)自下而上的調(diào)控。Zhao 等人[47]使用三乙胺作為反應控制劑,合成了 NiCo-UMOFNs 納米片(NiCo-UMOFNs:金屬 Ni2+、Co2+與對苯二甲酸

示意圖,薄膜合成,機理,示意圖


有硅片、FTO(摻雜氟的 SnO2透明導電玻璃)、ITO(銦錫氧化物)等[49]。由于多孔配位晶體與基底作用力較弱,難以形成穩(wěn)定的薄對基底進行前處理。Liu 等人[50]首先對 Au 基底進行羧基化處理,基底放入 Cu2+溶液中。利用羧基與 Cu2+的配位作用,將 Cu2+固定后,將基底放入配體(1,3,5-苯三羧酸)溶液中,配體與 Cu2+絡合ST-1。重復此操作過程,最終得到 HKUST-1 薄膜。利用類似的方化的 FTO 作為基底,還可合成出 SURMOF 薄膜[51]。Ono 等人 修飾 ITO 模板,隨后將修飾后的模板放入普魯士藍的懸浮液中進由于 Fe3+離子與 APTMS 有較強的絡合作用,因此普魯士藍會優(yōu)先板上,得到 10 nm 的普魯士藍薄膜。Hurrle 等人[53]采用濺射噴涂的后硅模板上,反復噴涂金屬離子與配體,最終得到 HKUST-1 薄膜。利用 dcphOH-NDI 修飾 FTO,合成了 Zr(dcphOH-NDI)薄膜。


本文編號:3280988

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