研究了單層石墨烯中的電子-聲學(xué)聲子相互作用,并導(dǎo)出了單層石墨烯中聲學(xué)極化子系統(tǒng)哈密頓量。利用極化子基態(tài)能量隨電子-聲學(xué)聲子耦合常數(shù)的變化關(guān)系,研究了聲學(xué)極化子在單層石墨烯的自陷轉(zhuǎn)變。結(jié)果表明,在單層石墨烯中,靠近Dirac點(diǎn)的電子不能形成常規(guī)的極化子,進(jìn)而在該點(diǎn)上也不能實(shí)現(xiàn)聲學(xué)極化子的自陷轉(zhuǎn)變。在Dirac點(diǎn)外,聲學(xué)極化子的自陷情況與理想二維系統(tǒng)的理論描述相一致。 

【文章來源】：江西科學(xué). 2020,38(01)

【文章頁數(shù)】：4 頁

【部分圖文】：

二維石墨烯中聲學(xué)極化子的基態(tài)能量同電子-聲學(xué)聲子耦合常數(shù)α的關(guān)系


本文編號：3212103