近年來(lái),隨著我國(guó)經(jīng)濟(jì)的高速發(fā)展,人們的生活水平不斷提高,由食品污染而引起的疾病是當(dāng)今世界上最廣泛的衛(wèi)生問(wèn)題之一。其中,由食源性感染和食源性中毒引起的食源性疾患的發(fā)病率居各類(lèi)疾病總發(fā)病率的第二位。因此,如何快速靈敏地實(shí)現(xiàn)食品污染物質(zhì)的檢測(cè)成為研究者們關(guān)注的焦點(diǎn)。納米材料的出現(xiàn)為解決上述問(wèn)題提供了更多的可能,尤其是由于二維層狀納米材料具有種類(lèi)多樣、比表面積大、獨(dú)特的光電特性、量子尺寸效應(yīng)、表面效應(yīng)等性質(zhì)使其廣泛應(yīng)用于傳感中,并且在有毒有害物質(zhì)的檢測(cè)、環(huán)境監(jiān)控和生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域有著良好的應(yīng)用前景。本論文使用簡(jiǎn)單的一步水熱法和磁力攪拌的方式依次合成了四氧化二鈷合鎳修飾二硫化鉬（Ni Co₂O₄-Mo S₂）、金納米粒子修飾黑磷（Au NPs-BP）和金納米粒子修飾氧化鉬（Au NPs-Mo O_x）納米復(fù)合材料,成功構(gòu)建了三種新型的電化學(xué)傳感器,分別用于葡萄糖、展青霉素（PAT）和赭曲霉素A（OTA）的檢測(cè)。檢測(cè)結(jié)果分別與同類(lèi)型的傳感器相比,葡萄糖傳感器的線性范圍寬、檢出限低,同時(shí)檢測(cè)PAT和OTA的傳感器表現(xiàn)出... 

【文章來(lái)源】：西北大學(xué)陜西省 211工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：73 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

NiCo2O4-MoS2納米復(fù)合材料的SEM圖像(A)，(B)和復(fù)合材料的元素映射圖(C)

第二章基于NiCo2O4-MoS2納米復(fù)合材料的葡萄糖電化學(xué)傳感研究23采用X射線衍射(XRD)方法，建立了NiCo2O4-MoS2納米復(fù)合材料樣品相變化的晶體學(xué)信息。從圖2.2(F)可以看出，NiCo2O4-MoS2納米復(fù)合材料的XRD譜圖顯示在(220)、(311)、(400)、(511)和(440)晶格面上分別出現(xiàn)了31.148°、36.696°、44.622°、59.094°和64.980°的衍射峰。與MoS2(JCPDS87-2416)和NiCo2O4(JCPDS73-1702)的標(biāo)準(zhǔn)卡片作對(duì)比，發(fā)現(xiàn)NiCo2O4-MoS2納米復(fù)合材料的大部分衍射峰與NiCo2O4和MoS2的相吻合。圖2.2NiCo2O4-MoS2納米復(fù)合材料的XPS能譜圖(A)和相應(yīng)的Mo3d(B)、S2p(C)、Co2p(D)和Ni2p(E)的高分辨率圖譜；NiCo2O4-MoS2納米復(fù)合材料的XRD圖譜(F)2.2.2NiCo2O4-MoS2/殼聚糖/GCE的直接電化學(xué)性能研究為了比較不同電極對(duì)葡萄糖氧化的電催化活性，采用循環(huán)伏安法(CVs)研究了不同電極在氫氧化鈉溶液中對(duì)葡萄糖的氧化行為。圖2.3展示了在80mV·s-1掃描速率下，在含1.0mM葡萄糖的0.1MNaOH(pH=13)溶液中，GCE、MoS2/殼聚糖/GCE和NiCo2O4-MoS2/殼聚糖/GCE對(duì)葡萄糖氧化的CV曲線。在GCE(圖2.3(A))和MoS2/殼聚糖/GCE(圖2.3(B))中沒(méi)有出現(xiàn)氧化還原峰，表明在這些電極表面，無(wú)論有無(wú)葡萄糖，都不會(huì)引起氧化還原反應(yīng)。與GCE相比，MoS2/殼聚糖/GCE由于電導(dǎo)率和比表面積的變化，背景電流更大。但是，與GCE和MoS2/殼聚糖/GCE不同的是，NiCo2O4-MoS2/殼聚

以有效地增強(qiáng)葡萄糖的電化學(xué)氧化。這一現(xiàn)象也可能由以下原因造成:首先，MoS2不僅具有典型的類(lèi)石墨烯層狀褶皺納米結(jié)構(gòu)，具有較大的比表面積，可以吸附更多的NiCo2O4納米棒，而且通過(guò)MoS2和NiCo2O4納米棒之間的吸附耦合作用穩(wěn)定了NiCo2O4納米棒。其次，NiCo2O4納米棒對(duì)葡萄糖具有較高的催化活性，并且具有可以提供更多反應(yīng)位點(diǎn)的活性位，有助于葡萄糖的氧化。三是NiCo2O4-MoS2納米復(fù)合材料具有較好的葡萄糖氧化性能。因此，MoS2和NiCo2O4納米棒之間的有效協(xié)同作用是催化葡萄糖氧化至勝的法寶。圖2.3在0.1MNaOH(pH=13)溶液中，掃描速率為80mV·s-1時(shí)，加入1.0mM葡萄糖之前(a曲線)和之后(b曲線)GCE(A)、MoS2/殼聚糖/GCE(B)和NiCo2O4-MoS2/殼聚糖/GCE(C)對(duì)葡萄糖氧化的循環(huán)伏安圖(CVs)NiCo2O4-MoS2/殼聚糖/GCE對(duì)葡萄糖的循環(huán)伏安響應(yīng)。圖2.4(A)顯示了電化學(xué)葡萄糖傳感器對(duì)200~2000μM濃度范圍內(nèi)的葡萄糖的循環(huán)伏安響應(yīng)曲線。氧化峰電位和還

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本文編號(hào)：3114243