發(fā)布時(shí)間：2021-02-22 10:48

　　為了解決硒化鎵（GaSe）晶體制備困難、化學(xué)性能差的問題,對(duì)GaSe晶體傳統(tǒng)的化學(xué)汽相沉積制備方法進(jìn)行了改進(jìn),采用移動(dòng)加熱源法制備GaSe晶體。搭建了GaSe晶體的制備裝置,通過單片機(jī)精確調(diào)控制備晶體的高溫爐的加熱溫度、移動(dòng)位置等參數(shù),并采用光學(xué)顯微鏡和原子力顯微鏡對(duì)所制備的GaSe晶體進(jìn)行輔助表征。研究表明,利用移動(dòng)加熱源法可以制備出表面光滑且尺寸較大的單層二維GaSe晶體。由于對(duì)機(jī)電設(shè)備實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)精密移動(dòng),可對(duì)單層二維GaSe晶體實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量大批量的制備,有利于GaSe晶體在光電子學(xué)和納電子學(xué)中的廣泛應(yīng)用。 

【文章來源】：光學(xué)儀器. 2020,42(02)

【文章頁數(shù)】：7 頁

【部分圖文】：

移動(dòng)高溫爐裝置的底盤圖

實(shí)驗(yàn)二制備的GaSe晶體顯微鏡圖像如圖4所示。圖4(a）為100倍物鏡下獨(dú)立的GaSe的光學(xué)顯微鏡圖像，其中插圖是50倍物鏡下的GaSe光學(xué)顯微鏡圖像，其原子力顯微鏡表征結(jié)果如圖4(b）所示，厚度為0.92 nm，為表面光滑的單層二維GaSe。圖4(c）、圖4(d）為堆疊的多層圓形和多層三角形GaSe。圖3 移動(dòng)法中實(shí)驗(yàn)一制備出的二維GaSe圖

圖2 制備GaSe的移動(dòng)設(shè)備裝置圖，高溫爐移動(dòng)為(1)→(2)→(3)通過移動(dòng)加熱源法，改變高溫爐降溫到900℃時(shí)的位置，可以大批量地制備出較為理想的表面光滑的單層二維GaSe。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]基于CO2激光的微納光纖熔接技術(shù)研究[J]. 周聰,谷付星.  光學(xué)儀器. 2019(01)
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[3]二維范德瓦爾斯材料[J]. 陳偉,P.Ajayan,P.Kim,K.Banerjee.  物理. 2016(09)

碩士論文
[1]硒化鎵晶體的生長及電子結(jié)構(gòu)研究[D]. 張明.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2012



本文編號(hào)：3045874