本文關鍵詞：CVD法生長石墨烯，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：石墨烯自發(fā)現以來,就引發(fā)了多個領域的研究高潮。其獨特的物性逐漸被人們所認識,并成為石墨烯廣闊應用前景的物理基礎。石墨烯有望成為下一代電子產品中硅基半導體的替代材料,以及太陽能的開發(fā)與使用的候選技術。 硅納米線作為納米形式的硅晶,由于量子限制效應而具有令人驚奇的光電效應。由于多種缺點,目前而尚未廣泛應用于太陽能材料的制備。 我們利用鎳做催化劑,采用CVD法,在硅納米線上制備出納米尺寸的石墨烯,期待能對太陽能新能源的開發(fā)有所裨益。本文采用拉曼光譜、X光電子能譜以及掃描電子顯微鏡對石墨烯進行了表征,并與大面積硅單晶上的制備效果進行對比,結果顯示：隨著鎳膜厚度的不同,石墨烯的質量變化趨勢并不同。在硅納米線上所長石墨烯,質量隨鎳膜厚度的增加而提高；單晶硅上的石墨烯則隨鎳膜厚度增加,質量下降。
【關鍵詞】：石墨烯 硅納米線 單晶硅 CVD
【學位授予單位】：浙江大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2013
【分類號】：O613.71
【目錄】：

• 摘要5-6
• Abstract6-9
• 1 緒論9-24
• 1.1 石墨烯的發(fā)現9-12
• 1.2 石墨烯的主要性質12-16
• 1.2.1 機械性質13
• 1.2.2 能帶特征13-14
• 1.2.3 量子霍爾效應14-15
• 1.2.4 導電特性15
• 1.2.5 其他性質15-16
• 1.3 石墨烯的應用前景16-18
• 1.3.1 復合材料16
• 1.3.2 電子產業(yè)16-17
• 1.3.3 燃料電池17
• 1.3.4 功能化石墨烯17-18
• 1.3.5 其他的應用領域18
• 1.4 石墨烯的制備方法18-20
• 1.4.1 機械剝離法18
• 1.4.2 氧化還原法18-19
• 1.4.3 加熱SiC法19
• 1.4.4 化學氣相沉積法(CVD)19
• 1.4.5 其他的制備方法19-20
• 1.5 硅納米線的簡單介20-21
• 1.5.1 硅納米線的制備及性質20-21
• 1.5.2 硅納米線的應用領域21
• 1.6 本課題的研究背景以及研究意義21-24
• 2 表征技術與實驗手段24-31
• 2.1 實驗原理24-25
• 2.1.1 石墨烯的生長原理24
• 2.1.2 硅納米線的生長原理24-25
• 2.2 表征方法25-29
• 2.2.1 拉曼光譜25-26
• 2.2.2 XPS26-28
• 2.2.3 SEM28-29
• 2.3 實驗裝置29-31
• 3 CVD法多襯底制備石墨烯31-44
• 3.1 引言31
• 3.2 實驗31-33
• 3.2.1 硅納米線的制備31-32
• 3.2.2 濺射鎳膜32
• 3.2.3 石墨烯樣品的制備32-33
• 3.3 實驗結果與討論33-43
• 3.3.1 硅納米線形貌33-35
• 3.3.2 石墨烯的表征35-43
• 3.4 結論43-44
• 4 論文總結與展望44-45
• 參考文獻45-54
• 致謝54

【參考文獻】

中國期刊全文數據庫 前8條

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  本文關鍵詞：CVD法生長石墨烯，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號：303511