隨著全球經濟的快速發(fā)展,環(huán)境污染問題引起了全世界的關注。因此,迫切需要開發(fā)可再生能源和環(huán)境友好型環(huán)境修復技術。開發(fā)新的有機污染物和重金屬污染處理方法已成為一個重要的主題。在提出的各種方法中,半導體光催化技術具有很大的潛力,因為它能直接利用太陽能來降解水中有害污染物。此外,該技術不會造成二次污染,最終產物是生成CO₂和H₂O。鈮酸鹽因為獨特的理化性質和晶體結構,在光催化技術的應用上具有較大的潛力。因此,本文主要是研究新型鈮酸鹽光催化材料制備以及其復合物,我們研究了所制備的光催化材料在可見光下對水中污染物的降解效果,并對其降解機理進行分析,本文主要研究內容如下:（1）通過原位生長方法制備了KNbO₃/In₂S₃復合光催化劑。在可見光下,得到的復合材料表現(xiàn)出對TC（鹽酸四環(huán)素）和Rh B（羅丹明B）有較高的光催化氧化能力。當復合物中In₂S₃的質量百分比為10 wt%時,納米復合材料對Rh B和TC的降解表現(xiàn)出最高的光催化性能。熒光和瞬態(tài)光... 

【文章來源】：南京信息工程大學江蘇省

【文章頁數(shù)】：88 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

半導體光催化過程示意圖[21]

南京信息工程大學碩士學位論文12對于復合樣品，我們可以看到當In2S3含量增加到30wt％時，In2S3的峰值強度達到了最大值。圖2.1KNO和具有不同In2S3含量的KNO/In2S3納米復合材料的XRD圖譜為了研究所制備的樣品形貌和結構，進行SEM測試對所制成樣品形貌進行了研究，如圖2.2所示。KNO呈立方體結構，尺寸在100-150nm之間（圖2.2（a））。對于純In2S3，樣品由一片片薄片圍成球狀，尺寸大約500nm（圖2.2（b））。如圖2.2（c）所示，KNO/In2S3納米復合材料中有很多In2S3納米片在立方KNO的表面上均勻生長。此外，還進行了TEM/HRTEM測試，以獲得有關KNOIS-10納米復合材料成分的更多信息。如圖2.3（a）所示，很明顯，許多In2S3納米片均勻地附著在KNO納米立方體的表面上。如圖2.3（b）所示，圖為KNOIS-10納米復合材料的HRTEM圖像，具有兩種不同的晶格條紋。KNO的晶格條紋為（110），其平面間距為0.404nm，然而對于In2S3，它的晶格條紋為（311），其對應的平面間距為0.324nm。通過進行SEM和TEM/HRTEM測試，分析了純KNO和純In2S3的形貌，同時也證實了KNO/In2S3二元納米復合材料的成功制備。

第二章In2S3納米片修飾KNbO3納米立方體復合光催化劑13圖2.2制備的（a）KNO，（b）In2S3和（c）KNO/In2S3的SEM圖像圖2.3KNOIS-10納米復合材料的（a）TEM和（b）HRTEM圖像為了研究KNO，In2S3和KNOIS-10復合材料的吸附特性，進行了N2吸附-解吸

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3018027