目前對(duì)環(huán)境中污染物的治理已經(jīng)得到愈來(lái)愈多人的關(guān)注,近幾年來(lái)電致化學(xué)發(fā)光（ECL）技術(shù)在電化學(xué)領(lǐng)域中掀起了研究熱潮,該技術(shù)具有簡(jiǎn)單便利的操作流程、較高的靈敏性等優(yōu)點(diǎn),能夠用于檢測(cè)多種物質(zhì),但是其特異選擇性有待提高,需要設(shè)計(jì)具有高度選擇要求的探針或傳感器。分子印跡技術(shù)由于其對(duì)模板分子專一性識(shí)別特性,并且在特殊環(huán)境中穩(wěn)定性好,吸附效果明顯,所以其應(yīng)用范圍較為廣泛。但是傳統(tǒng)的制備分子印跡聚合物（MIPs）方法存在聚合過(guò)程緩慢、能識(shí)別待測(cè)物的印跡空穴較少、洗脫困難等不足之處,使其在應(yīng)用的多方面受到限制�；诖�,現(xiàn)在有許多改進(jìn)的方法已經(jīng)用于制備新型的分子印跡聚合物,如常見(jiàn)的利用表面分子印跡技術(shù),在載體表面制備分子印跡聚合物,可以解決上述提到的問(wèn)題。本論文基于電致化學(xué)發(fā)光技術(shù)與分子印跡技術(shù),合成了核殼結(jié)構(gòu)的磁性量子點(diǎn)復(fù)合的分子印跡聚合物,并利用量子點(diǎn)（QDs）的電致化學(xué)發(fā)光性質(zhì)進(jìn)行電致化學(xué)發(fā)光檢測(cè)。利用熒光光譜（FL）和紫外-可見(jiàn)吸收光譜（UV-Vis）等手段表征QDs的性質(zhì),傅里葉紅外光譜（FT-IR）、振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)（VSM）和高分辨透射電鏡（HRTEM）等方法對(duì)不同的產(chǎn)物進(jìn)行結(jié)構(gòu)和形貌的表征。... 

【文章來(lái)源】：安徽理工大學(xué)安徽省

【文章頁(yè)數(shù)】：79 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
引言
1 緒論
    1.1 分子印跡技術(shù)
        1.1.1 分子印跡技術(shù)概述
        1.1.2 分子印跡技術(shù)的原理
        1.1.3 分子印跡材料
    1.2 磁性分子印跡材料
        1.2.1 磁性分子印跡材料的概述
        1.2.2 磁性分子印跡材料的應(yīng)用
    1.3 電致化學(xué)發(fā)光技術(shù)
        1.3.1 電致化學(xué)發(fā)光技術(shù)的概述
        1.3.2 電致化學(xué)發(fā)光的類型
        1.3.3 量子點(diǎn)的電致化學(xué)發(fā)光
        1.3.4 電致化學(xué)發(fā)光技術(shù)的應(yīng)用
    1.4 本論文研究思路與意義
2 磁性量子點(diǎn)分子印跡ECL探針的制備及對(duì)鹽酸四環(huán)素的檢測(cè)
    2.1 前言
    2.2 試劑與儀器
    2.3 實(shí)驗(yàn)
        2.3.1 合成CdTe/ZnS QDs
        2.3.2 合成分子印跡聚合物
    2.4 結(jié)果與討論
        2.4.1 磁性材料的形貌表征
        2.4.2 磁性材料的結(jié)構(gòu)及磁性性能表征
        2.4.3 量子點(diǎn)的光學(xué)及ECL性能表征
        2.4.4 反應(yīng)條件的優(yōu)化
        2.4.5 不同材料的ECL性能
        2.4.6 傳感器在鹽酸四環(huán)素檢測(cè)中應(yīng)用
    2.5 本章小結(jié)
3 用于檢測(cè)雙酚A的磁性量子點(diǎn)分子印跡ECL探針的制備及應(yīng)用
    3.1 前言
    3.2 試劑與器材
    3.3 實(shí)驗(yàn)
        3.3.1 合成CdSe QDs
3O₄@SiO₂-NH₂">        3.3.2 合成Fe₃O₄@SiO₂-NH2

        3.3.3 合成分子印跡聚合物
        3.3.4 構(gòu)建ECL傳感器
    3.4 結(jié)果與討論
        3.4.1 磁性核殼結(jié)構(gòu)的分子印跡聚合物的形貌表征
        3.4.2 磁性材料的結(jié)構(gòu)及磁性性能表征
        3.4.3 量子點(diǎn)的光學(xué)及ECL性能表征
        3.4.4 不同材料的ECL性能
        3.4.5 反應(yīng)條件的優(yōu)化
        3.4.6 傳感器在雙酚A檢測(cè)中應(yīng)用
        3.4.7 干擾物質(zhì)的影響
    3.5 本章小結(jié)
結(jié)論與展望
參考文獻(xiàn)
致謝
作者簡(jiǎn)介及碩士期間工作


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]分子印跡材料研究進(jìn)展[J]. 王斌,王榕妹,王俊卿,鄧安平.  化學(xué)研究與應(yīng)用. 2010(02)



本文編號(hào)：2994537

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