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自發(fā)單層分散理論用于固體進(jìn)樣電熱蒸發(fā)測(cè)定鎘的研究

發(fā)布時(shí)間:2020-12-10 10:32
  鎘(Cd),是公認(rèn)的對(duì)人體健康造成嚴(yán)重危害的有害重金屬元素,也是當(dāng)前食品和環(huán)境安全中備受關(guān)注的重金屬元素。目前,對(duì)于Cd的檢測(cè)主要采用液體進(jìn)樣方式,結(jié)合光譜分析的方法。液體進(jìn)樣方式需要進(jìn)行復(fù)雜而耗時(shí)的樣品前處理,多采用微波消解或濕法消解等,目的是去除樣品有機(jī)物等基體對(duì)檢測(cè)過(guò)程的干擾。不過(guò)這一進(jìn)樣方式難以實(shí)現(xiàn)固體樣品中重金屬元素的快速檢測(cè)。而采用固體進(jìn)樣技術(shù),則無(wú)需消解,具有簡(jiǎn)單環(huán)保、高效等特點(diǎn),可實(shí)現(xiàn)樣品快速檢測(cè)。然而,基體干擾問(wèn)題限制了固體進(jìn)樣技術(shù)的快速發(fā)展。本論文在前期研究基礎(chǔ)上,將廣泛用于催化劑領(lǐng)域的自發(fā)單層分散理論用于固體進(jìn)樣-電熱蒸發(fā)-原子熒光光譜法(SS-EVT-AFS)測(cè)Cd的研究中,建立了自發(fā)單層分散理論用于SS-ETV-AFS測(cè)定Cd的方法,實(shí)現(xiàn)了消除大米基體對(duì)檢測(cè)的干擾及對(duì)于Cd高濃度樣品的固體稀釋。本論文主要取得以下研究進(jìn)展:1.確定了自發(fā)單層分散理論用于固體進(jìn)樣原子熒光法測(cè)定Cd的方法,并進(jìn)行初步機(jī)理研究。對(duì)Cd標(biāo)準(zhǔn)溶液與分散載體進(jìn)行預(yù)處理,通過(guò)高溫條件使Cd在分散載體表面均勻分散,結(jié)合SS-ETV-AFS法對(duì)Cd進(jìn)行測(cè)定。研究了載氣流速、分散熱力學(xué)(灰化溫度)... 

【文章來(lái)源】:吉林大學(xué)吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】:80 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

自發(fā)單層分散理論用于固體進(jìn)樣電熱蒸發(fā)測(cè)定鎘的研究


在線捕獲檢測(cè)流程圖

曲線,自發(fā)單層分散,閾值,效應(yīng)


1.4.1 基本原理SMD 理論是指許多鹽類和氧化物具有自發(fā)分散到氧化物載體表面形成單層或亞單層的傾向,其各項(xiàng)性質(zhì)隨載負(fù)量變化將出現(xiàn)接近單層或亞單層的“閾值”效應(yīng)[83](見(jiàn)圖 1.2)。圖 1.2 示出了 MoO3在兩種不同載體上的“閾值”效應(yīng),由圖 1.2A 可知在載負(fù)量小于“閾值”時(shí),無(wú) XRD 測(cè)出殘余晶相,說(shuō)明此時(shí) MoO3是以非晶態(tài)形式存在,很可能是以表面態(tài)存在;圖 1.2B 給出了類似體系的 XPS 測(cè)得的淺表面(幾納米)濃度結(jié)果,當(dāng)僅做簡(jiǎn)單混合不進(jìn)行焙燒時(shí)(曲線 a),其表面濃度與負(fù)載量呈現(xiàn)較好的線性,而當(dāng)經(jīng)過(guò)焙燒后(曲線 b),曲線出現(xiàn)了明顯的拐點(diǎn),在拐點(diǎn)前表面的 MoO3迅速增加,這進(jìn)一步確證了在載負(fù)量小于“閾值”的 MoO3以表面態(tài)存在。用密堆積理論計(jì)算表明,該“閾值”與單層或亞單層有明顯的對(duì)應(yīng)關(guān)系。

示意圖,灰化,組分分布,灰分


行的操作方式:先將農(nóng)產(chǎn)品樣品與 3~10 倍量的分散載體均勻混合;之后一度下在空氣中灰化處理一定時(shí)間,去除有機(jī)物,待測(cè)元素和其他殘留灰分按MD 理論將在分散載體表面擴(kuò)散,由于灰分在樣品中含量通常<10%,故 3~的分散載體可保證其完全單層分散,此時(shí)灰分與待測(cè)元素之間沒(méi)有相互作認(rèn)為多數(shù)樣品的復(fù)雜基體被轉(zhuǎn)化為單一的分散載體簡(jiǎn)單基體,從而可以有效決基質(zhì)造成的蒸發(fā)干擾;最后取一定量處理后的樣品進(jìn)行固體進(jìn)樣元素分不同條件下灰化產(chǎn)物的組分示意于下圖 1.3,由圖可知通常條件下灰化后( 1.3a),灰分和待測(cè)元素緊密接觸,存在較強(qiáng)的相互作用,進(jìn)一步電熱蒸發(fā)進(jìn)樣時(shí)則會(huì)造成較為嚴(yán)重的基體干擾;而加入“分散載體”并混勻后,則灰分測(cè)元素均遵循 SMD 理論在“分散載體”上形成了單層或亞單層(見(jiàn)圖 1.3b),與“分散載體”結(jié)合,實(shí)現(xiàn)了從復(fù)雜基質(zhì)到單一“分散載體”基質(zhì)的置換,灰分測(cè)元素基本沒(méi)有相互作用,從而在進(jìn)一步電熱蒸發(fā)時(shí)不會(huì)造成嚴(yán)重的基體。

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
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碩士論文
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本文編號(hào):2908548

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