【摘要】：以高含氫硅油為原料,在石墨基體上生長出SiC晶須。主要研究石墨基體的表面狀態(tài)和加熱溫度對SiC晶須生長的影響,探究SiC晶須形成過程。影響SiC晶須形核和生長的主要因素為熱處理溫度,隨著熱處理溫度的升高,SiC晶須的結(jié)晶產(chǎn)量也相應(yīng)增高。石墨基體的表面狀態(tài)對SiC晶須的形成也有一定的影響,隨著石墨基體缺陷提供形核點的增多,SiC晶須的結(jié)晶產(chǎn)量提高,并且出現(xiàn)相互搭接的現(xiàn)象。SiC晶須的形成過程分為形核和生長兩個部分,低溫形核,高溫生長,遵循VLS(氣-液-固)生長機理。
[Abstract]:SiC whiskers were grown on graphite matrix with high hydrogen content silicone oil as raw material. The effects of surface state of graphite matrix and heating temperature on the growth of SiC whiskers were studied, and the formation process of SiC whiskers was investigated. The main factors affecting the nucleation and growth of SiC whiskers are heat treatment temperature, and the crystallization yield of SiC whiskers increases with the increase of heat treatment temperature. The surface state of graphite matrix also has a certain effect on the formation of SiC whiskers. With the increase of graphite matrix defects providing nucleation points, the crystallization yield of SiC whiskers increases. The formation process of sic whiskers is divided into two parts: nucleation and growth. Nucleation at low temperature and growth at high temperature follow the mechanism of VLS (gas-liquid-solid) growth.
【作者單位】： 華北理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;河北省無機非金屬材料重點實驗室;華北理工大學(xué)建筑工程學(xué)院;
【基金】：河北省自然科學(xué)基金青年基金(E2016209327) 華北理工大學(xué)大學(xué)生創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)訓(xùn)練計劃項目(X2016165) 河北省科技計劃項目(16211505)
【分類號】：O613.72;O784

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本文編號：2437753