本文關鍵詞：低溫制備摻雜石墨烯，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

國內圖書分類號：O649.4 學校代碼：10213 國際圖書分類號：544.466.468 密級：公開 理學碩士學位論文 低溫制備摻雜石墨烯 碩士研究生：李俊杰 導 師：胡平安 教授 申 請 學 位：理學碩士 學 科：物理化學 所 在 單 位：應用化學系 答 辯 日 期：2013 年6 月30 日 授予學位單位：哈爾濱工業(yè)大學 哈爾濱工業(yè)大學理學碩士學位論文 Classified Index: O649.4 U.D.C.: 544.466.468 Dissertation for the Master Degree in Science LOW-TEMPERATURE GROWTH OF DOPED GRAPHENE Candidate: Junjie Li Supervisor: Prof. PingAn Hu Academic Degree Applied for: Master of Science Specialty: Physical chemistry Affiliation: Department of chemistry Date of Defence: June, 30th, 2013 Degree-Conferring-Institution : Harbin Institute of Technology II 哈爾濱工業(yè)大學理學碩士學位論文 摘 要 2004年英國Manchester 大學的Geim等人發(fā)現單層石墨烯，并因此獲得了2010 年的諾貝爾獎。這一發(fā)現立刻震撼了科學界，隨后這種新型碳材料成為材料學和 物理學領域的一個研究熱點�；瘜W氣相沉積（CVD）是制備大面積、高質量石墨烯 的有效方法，目前CVD 生長石墨烯存在的問題是反應溫度高（~ 1000 ℃），這對設 備及操作具有較高的要求，因此低溫生長石墨烯具有重要的意義。針對這一問題， 本文研究采用芳香化合物為原料，低溫制備氮摻雜與硫摻雜的石墨烯，對其結構 和性能進行表征，并進一步研究了反應機理，取得了一系列重要的創(chuàng)新性的研究 成果： 分別采用五氯吡啶與四溴噻吩作為碳源，成功地在230 ℃和300 ℃下制備出 了大面積、高質量且均一性良好的氮摻雜與硫摻雜石墨烯。通過對其進行的一系 列表征表明，，所制備的氮摻雜石墨烯主要以單層為主，其厚度約為0.8~1.2 納

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