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《中國化學會第29屆學術年會摘要集——第30分會：低維碳材料》2014年

石墨烯生長所需的自清潔基底-氧化銅

孔祥華  

【摘要】：利用化學氣相沉積法(CVD)在銅基底上進行石墨烯生長之前,銅基底需要預先清潔處理,例如利用有機溶劑丙酮清洗,或是利用硝酸、鹽酸、醋酸等酸性溶液浸泡,亦或是在氫氣還原氣氛保護下進行高溫退火等等,這些處理方法一定程度上能夠使銅表面得到清潔,但都無法完全去除銅表面的碳殘留,而這些碳殘留能夠促進石墨烯成核并最終導致更高的成核密度。我們發(fā)現,表面被氧化的銅基底在CVD生長石墨烯時能夠具有自清潔的功能。在真空條件下,銅表面的氧化銅熱解生成銅和氧氣,而這些釋放的氧氣能夠氧化銅表面的殘留碳,使之生成氣相的一氧化碳和二氧化碳而脫離表面,從而使得銅表面在原位得到徹底清潔。研究發(fā)現,利用表面經過預氧化處理的銅基底進行石墨烯生長時,其石墨烯成核密度要比利用普通化學試劑清洗的銅基底低1000倍,從而為大面積單晶石墨烯的生長提供了條件。

【作者單位】：
【分類號】：O613.71
【正文快照】：

石墨烯生長所需的自清潔基底-氧化銅@孔祥華$合肥工業(yè)大學化學與化工學院!安徽省合肥市屯溪路193號,230009利用化學氣相沉積法(CVD)在銅基底上進行石墨烯生長之前,銅基底需要預先清潔處理,例如利用有機溶劑丙酮清洗,或是利用硝酸、鹽酸、醋酸等酸性溶液浸泡,亦或是在氫氣還原

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