本文關(guān)鍵詞： 石墨烯納米帶 摻雜 自旋極化　出處：《物理學報》2017年24期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：利用基于密度泛函理論的第一性原理方法,研究了三角形BN片摻雜的鋸齒型石墨烯納米帶(ZGNR)的磁電子學特性.研究表明:當處于無磁態(tài)時,不同位置摻雜的ZGNR都為金屬;當處于鐵磁態(tài)時,隨著雜質(zhì)位置由納米帶的一邊移向另一邊時,依次可以實現(xiàn)自旋金屬-自旋半金屬-自旋半導體的變化過程,且只要不在納米帶的邊緣摻雜,摻雜的ZGNR就為自旋半金屬;當處于反鐵磁態(tài)時,在中間區(qū)域摻雜的ZGNR都為自旋金屬,而在兩邊緣摻雜的ZGNR沒有反鐵磁態(tài).摻雜ZGNR的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,在中間區(qū)域摻雜時反鐵磁態(tài)是基態(tài),而在邊緣摻雜時鐵磁態(tài)為基態(tài).研究結(jié)果對于發(fā)展基于石墨烯的納米電子器件具有重要意義.
[Abstract]:The magnetoelectronic properties of zigzag graphene nanospheres doped with triangular BN are studied by using the first-principle method based on density functional theory. The results show that the ZGNR doped in different positions are all metals when they are in the non-magnetic state. When in ferromagnetic state, with the impurity position moving from one side of the nanobelts to the other side, the process of spin metal-spin semi-metal-spin semiconductor can be realized in turn, provided that the impurity is not doped at the edge of the nanobelts. The doped ZGNR is spin semimetallic, and when it is in the antiferromagnetic state, the ZGNR doped in the middle region is spin metal, while the ZGNR doped on the two edges has no antiferromagnetic state. The structure of doped ZGNR is stable. The antiferromagnetic state is the ground state when doped in the middle region and the ferromagnetic state is the ground state in the edge doping. The results are of great significance for the development of graphene based nanoelectronic devices.
【作者單位】： 長沙理工大學物理與電子科學學院;
【基金】：湖南省教育廳科研項目(批準號:16C0029) 湖南省高�？萍紕�(chuàng)新團隊支持計劃 湖南省重點學科建設(shè)項目資助的課題~~
【分類號】：O613.71;TB383.1

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本文編號：1500023