本文關(guān)鍵詞：黑磷烯制備與應(yīng)用研究進(jìn)展　出處：《材料導(dǎo)報(bào)》2016年11期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：黑磷烯因具有直接帶隙和優(yōu)異的電子遷移率等良好性能,成為一種備受關(guān)注的新型二維材料。概述了黑磷烯的制備方法,系統(tǒng)介紹了黑磷烯在場效應(yīng)晶體管、光電元件、氣體傳感器及太陽能電池等領(lǐng)域的應(yīng)用,分析了限制黑磷烯應(yīng)用的主要因素。最后,展望了黑磷烯未來的發(fā)展趨勢和應(yīng)用前景。
[Abstract]:Black phosphinidene with direct band gap and electron transfer rate of excellent and good performance, has become a new type of two-dimensional materials have attracted much attention. The black phosphinidene preparation method, introduced a system of black phosphinidene field effect transistor, photoelectric element, application of gas sensors and solar cells etc., are analyzed the factors limiting black phosphinidene application. Finally, the prospect of black phosphinidene future development trend and application prospect.

【作者單位】： 昆明理工大學(xué)環(huán)境科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(21367016;51104073;51408282) 云南省教育廳科學(xué)研究基金(2015J028;2015Z044)
【分類號】：O613.62
【正文快照】： (Faculty of Environmental Science and Engineering,Kunming University of Science and Technology,Kunming 650500)0引言二維晶體是由幾層單原子層堆疊而成的納米厚度的平面晶體,具有獨(dú)特的電學(xué)、光學(xué)以及磁學(xué)等特性,并有著自身獨(dú)特的結(jié)構(gòu)優(yōu)勢,因此常見的二維材料如石墨烯

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1 盧旺林;黑磷二維材料的制備及其光電特性表征[D];浙江大學(xué);2016年

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本文編號：1376273