CdTe∶Eu量子點(diǎn)的合成及其光學(xué)性能研究
發(fā)布時(shí)間:2017-11-03 07:23
本文關(guān)鍵詞:CdTe∶Eu量子點(diǎn)的合成及其光學(xué)性能研究
更多相關(guān)文章: CdTe量子點(diǎn) 銪 摻雜 光學(xué)性能
【摘要】:采用1-十八烯作為高溫反應(yīng)溶劑,利用氯化銪和磷酸三丁酯制備銪前驅(qū)體。分別采用正三辛基膦和碲粉制備的碲前驅(qū)體,以及油胺和二水乙酸鎘制備的鎘前驅(qū)體,在200℃合成Eu摻雜Cd Te量子點(diǎn)。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)隨著反應(yīng)溶液中Eu的含量上升,Cd Te量子點(diǎn)的熒光峰發(fā)生顯著紅移,但Eu的含量過(guò)高則會(huì)導(dǎo)致量子點(diǎn)的熒光強(qiáng)度下降。
【作者單位】: 福州大學(xué)物理與信息工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】: CdTe量子點(diǎn) 銪 摻雜 光學(xué)性能
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金(61377027) 福建省自然科學(xué)基金(2013J01233)資助項(xiàng)目
【分類(lèi)號(hào)】:O657.3
【正文快照】: 1引言Ⅱ-Ⅵ族量子點(diǎn)是一種無(wú)機(jī)發(fā)光納米材料,由于尺寸在納米量級(jí)而產(chǎn)生更加優(yōu)越于一般塊體材料的光電性能,在生物標(biāo)記[1-2]、存儲(chǔ)器件[3-4]、太陽(yáng)能電池[5-6]、平板顯示器件[7-8]等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。近幾年來(lái),在半導(dǎo)體量子點(diǎn)中引入過(guò)渡金屬或稀土元素成為一種獲得新的奇特量
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2 胡朗;王德平;姚愛(ài)華;黃文e,
本文編號(hào):1135204
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