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GO修飾的光催化劑的制備及其光催化性能

發(fā)布時間:2024-03-04 01:44
  現(xiàn)如今,人口的快速增長和工業(yè)的高速發(fā)展已造成越來越嚴重的水污染。這些廢水毒性強、危害大,難被微生物降解,對水生生物、人類的身體健康和環(huán)境都造成了很大的危害。針對此危害,采用光催化劑來降解水中的有機污染物或者將他們轉化為危害較小的小分子物質已經(jīng)引起眾多學者的廣泛關注。光催化技術的關鍵是光催化劑,但是以TiO2為代表的傳統(tǒng)光催化材料存在著不能利用可見光、量子效率低等缺陷,進而限制了其應用。新型高效光催化劑的開發(fā)在光催化降解有機污染物領域具有重大意義。開發(fā)新型高效光催化劑需要拓展催化劑對太陽光的光學吸收能力,并且提高光生電子-空穴的分離效率。以此為研究目的,本文的主要內(nèi)容和研究結果如下: (1)采用沉積-沉淀法合成了Ag3VO4/石墨烯氧化物(GO)復合光催化劑。GO在Ag3VO4的生長過程中起表面活性劑作用?梢姽庀拢珹g3VO4/GO復合光催化劑在30min內(nèi)實現(xiàn)了對15mg/L羅丹明B的完全降解,與單純的Ag3VO4和水熱法制備的Ag3VO4/GO復合光催化劑相比,光催化速率分別提高了1.1倍和0.4倍。自由基捕獲試驗發(fā)現(xiàn)光生空穴控制光催化反應進程。 (2)采用微波輔助溶劑熱法制備出Z...

【文章頁數(shù)】:58 頁

【學位級別】:碩士

【部分圖文】:

圖1.1光催化基本原理及光生載流子的遷移過程

圖1.1光催化基本原理及光生載流子的遷移過程

化基本原理體光催化劑,自身的能帶結構決定其光催化性能。半導體催參數(shù)決定:電子占據(jù)軌道所組成的價帶(VB),電子未占據(jù)以及處于導帶底端和價帶頂端之間的禁帶。半導體光催化劑能量大于半導體催化劑的禁帶寬度(Eg)時,價帶電子(e-遷至導帶,而在價帶處產(chǎn)生空穴(h+)。隨后光生電子和空性....


圖2.1RhB的結構式Fig2.1StructuralformulaofRhB

圖2.1RhB的結構式Fig2.1StructuralformulaofRhB

圖2.1RhB的結構式Fig2.1StructuralformulaofRhB定分光光度法測定染料濃度。朗伯-比耳于b和C:當染料類型和入射波長固定后,K為長固定后,A與C成線性關系,因此脫的吸光度的吸光度


圖2.2GO制備流程圖

圖2.2GO制備流程圖

圖2.2GO制備流程圖Fig2.2PreparationprocedureofGO2RGO的制備取一定量GO超聲分散在50ml去離子水中超聲溶解12h,用氨水調節(jié)反應體10左右,然后將反應體系轉移到高壓反應釜中,在恒溫干燥箱內(nèi)于180°干至室溫后....


圖2.3Ag3VO4/GO復合光催化劑的制備流程示意圖

圖2.3Ag3VO4/GO復合光催化劑的制備流程示意圖

第二章Ag3VO4/GO復合光催化劑的制備及其光催化性能水熱法制備Ag3VO4/GO復合光催化劑:稱取一定量的GO超聲分散在水溶液12h制得均勻的GO溶液。將0.34gAgNO3加入到上述GO溶液中磁力攪拌0.0.26gNa3VO4·12H2O....



本文編號:3918693

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