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新型二硫化鉬基納米復合材料的制備及其在環(huán)境領域中的應用研究

發(fā)布時間:2022-01-16 11:14
  隨著現(xiàn)代工業(yè)化和人口的快速發(fā)展,人們對環(huán)境污染問題的關注度越來越高,綠色能源的開發(fā)和利用能夠有效地治理環(huán)境污染危機。近年來,新型二維過渡金屬硫化物—二硫化鉬(MoS2),因其獨特的光學和電學性能得到了人們的廣泛關注。MoS2是類似于石墨烯的層狀化合物,呈現(xiàn)出一種S-Mo-S的三明治結構,層與層之間通過微弱的范德華力相連。此外,MoS2擁有可調節(jié)的帶隙結構,同時隨著層數(shù)的減少,其能帶間隙也會增加。MoS2通常還具有兩種相態(tài),即為金屬性質的1T相和半導體性質的2H相。鑒于這些獨特的性質,MoS2可被用于光催化領域以解決當前環(huán)境中部分污染問題。本文采用溶劑工程的理念,探索出了一種簡單、可控的方法,制備了一系列新型的MoS2基納米復合材料。在溶劑1-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)和表面活性劑十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)的協(xié)同影響下,我們制備出了具有花狀異質結構的GO/g-C3N4/MoS2復合材料... 

【文章來源】:上海大學上海市 211工程院校

【文章頁數(shù)】:76 頁

【學位級別】:碩士

【部分圖文】:

新型二硫化鉬基納米復合材料的制備及其在環(huán)境領域中的應用研究


半導體上典型光催化過程示意圖

六方晶體,俯視圖,晶體結構,單層


上海大學碩士學位論文似于石墨烯、氮化碳等層狀化合物,本身也是層狀化合物,原子間以 S-Mo-S的共價鍵相連,層與層之間靠微弱的范德華力相連[31]。Mo-S 長度,晶格常數(shù)以及上部和下部硫原子之間的距離分別為 2.4,3.2,3.1 [32]。塊狀的 MoS2被剝離到單層厚度相當時,其電子結構從間接帶隙(1.3 eV)轉變至直接帶隙(1.9eV)。MoS2的化學穩(wěn)定性,各向異性和抗光腐蝕性歸因于獨特的層狀結構?茖W證實 MoS2常見的兩種相態(tài)是:2H 的半導體晶型與 1T 的金屬性相態(tài)(圖 1.2a 與 1.2 b)[33, 34]。

示意圖,鋰化,電化學,過程


上海大學碩士學位論文吸引著人們的關注。層狀結構的二硫化鉬因為具有獨特的光電性質,力學,潤滑及其催化特性等,它一直受到人們的高度關注,在多個領域被應用。1.4.3.1 潤滑材料MoS2的層與層之間是依靠微弱的范德華力連接在一起的,因此 MoS2能夠被剝離,具有較低的摩擦系數(shù)。此外,MoS2對金屬物有很好的粘附能力,這就使得 MoS2能夠在潤滑上占據(jù)一席之地。剝離過后的 MoS2對鋼/鋼摩擦上具有良好的減摩抗摩作用[44],在鋼材表面形成保護層,避免了直接接觸,從而降低摩擦磨損。

【參考文獻】:
期刊論文
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本文編號:3592548

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