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介孔氧化硅微球的合成及其在化學(xué)機(jī)械拋光中的應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2017-08-14 02:28

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【摘要】:利用陽(yáng)離子表面活性劑(十六烷基三甲基溴化銨)膠束與硅源(正硅酸乙酯)的協(xié)同組裝過(guò)程,通過(guò)改進(jìn)的St?ber法制備具有放射狀孔道的介孔氧化硅(Mesoporous silica,Sm)微球。結(jié)果表明:所得Sm微球粒徑在260~480 nm范圍,樣品的BET比表面積為1 300~1 500 m2/g,其內(nèi)部孔道孔徑集中在2~3 nm。利用原子力顯微鏡比較了Sm磨料與常規(guī)實(shí)體氧化硅(Solid silica,Ss)磨料對(duì)熱氧化硅片的拋光特征。經(jīng)Sm磨料拋光后,襯底表面粗糙度均方根值RRMS為0.240 nm,表面微觀輪廓起伏在±0.70 nm范圍內(nèi),拋光材料去除率γMRR可達(dá)93 nm/min。與Ss磨料相比,Sm磨料有利于降低拋光襯底粗糙度,提高材料去除率,并有效避免出現(xiàn)微劃痕等表層機(jī)械損傷。
【作者單位】: 常州大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院;常州大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】介孔氧化硅 微球 磨料 化學(xué)機(jī)械拋光
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金(51205032,51405038,51575058)資助
【分類號(hào)】:TQ127.2;TN305.2
【正文快照】: CHEN Ailian1,QIN Jiawei2,CHEN Yang2(1.School of Mechanical Engineering,Changzhou University,Changzhou 213164,Jiangsu,China;2.School of Materials Science and Engineering,Changzhou University,Changzhou 213164,Jiangsu,China)硅基超大集成電路(ULSI)正朝向集成

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本文編號(hào):670301

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