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基于時(shí)域有限差分法的石墨烯器件仿真算法

發(fā)布時(shí)間:2020-09-18 13:47
   石墨烯(Graphene)作為一種二維納米材料,其奇特的物理特性激發(fā)了它在物理化學(xué)等多個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用,石墨烯電池、石墨烯天線、石墨烯表面等離子體(Graphene Plasmatic)器件等都慢慢走入人們的視線。但受到制備及檢測(cè)工藝的限制,石墨烯器件的研制和性能測(cè)量需要借助于相當(dāng)復(fù)雜的納米制造和測(cè)量實(shí)現(xiàn)。利用電磁仿真算法實(shí)現(xiàn)基于石墨烯的電磁器件的仿真與設(shè)計(jì)已成為目前亟待解決的問(wèn)題之一。本文的研究分別從表征石墨烯電磁響應(yīng)的等效介電常數(shù)和表面導(dǎo)電率出發(fā),利用矢量擬合(vector fitting)方法得到的復(fù)共軛極點(diǎn)留數(shù)模型將石墨烯的電磁響應(yīng)參數(shù)有效的耦合到Maxwell方程中,應(yīng)用時(shí)域有限差分方法(finite-difference time-domain method, FDTD)解決了不同頻段和不同環(huán)境參數(shù)下石墨烯器件的電磁仿真問(wèn)題。首先,本文簡(jiǎn)要討論了時(shí)域有限差分法,通過(guò)賦予石墨烯一定的厚度實(shí)現(xiàn)了復(fù)共軛極點(diǎn)留數(shù)模型表示石墨烯介電常數(shù)的矢量擬合方法,通過(guò)輔助微分方程法將其與FDTD仿真方法相結(jié)合,推出一種基于復(fù)共軛極點(diǎn)留數(shù)模型的石墨烯FDTD仿真方法。結(jié)合該方法,本文創(chuàng)新性的設(shè)計(jì)并仿真了太赫茲波段下的兩種基于石墨烯的可調(diào)帶隙光子晶體結(jié)構(gòu)。仿真結(jié)果表明,石墨烯的加入拓寬了光子晶體的光子帶隙,為該結(jié)構(gòu)帶來(lái)可調(diào)光子帶隙的性質(zhì)。利用解析理論驗(yàn)證了算法的正確性。其次,對(duì)石墨烯的等效介電常數(shù)進(jìn)行擬合和仿真的方法受制于較小的空間步長(zhǎng)剖分,將使得計(jì)算機(jī)內(nèi)存需求過(guò)高、計(jì)算時(shí)間過(guò)長(zhǎng)。為解決這一問(wèn)題,本文詳細(xì)討論了三種應(yīng)用于不同波段的表面電導(dǎo)率模型(非頻變表面電導(dǎo)模型、Drude模型和矢量擬合模型),利用電磁場(chǎng)歐姆定律將石墨烯的這幾種導(dǎo)電率模型耦合到Maxwell方程中,并通過(guò)FDTD方法獲得石墨烯上的表面電流分布,進(jìn)而求解石墨烯器件的電磁響應(yīng),解決了基于等效介電常數(shù)模型的石墨烯FDTD仿真方法的不足。最后,本文運(yùn)用基于歐姆定律的石墨烯器件FDTD仿真方法,有效仿真了石墨烯法布里-珀羅吸波器,石墨烯光柵結(jié)構(gòu)、光抽運(yùn)石墨烯層等概念器件。解析理論分析和已有文獻(xiàn)中的測(cè)量數(shù)據(jù)驗(yàn)證了所提出的算法的正確性。
【學(xué)位單位】:華中師范大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2015
【中圖分類】:TQ127.11
【部分圖文】:

差分法,連接邊界,計(jì)算區(qū)域,吸收邊界


2N2邋FDTD的計(jì)算區(qū)域逡逑對(duì)于散射問(wèn)題(本文中涉及到的主要問(wèn)題),通常的做法是在仿真區(qū)域中引入總逡逑場(chǎng)/散射場(chǎng)邊界(連接邊界),如圖2.1所示。該連接邊界的引入將FDTD的計(jì)算區(qū)逡逑域劃分為怠場(chǎng)區(qū)和散射場(chǎng)區(qū)P1L因此可W在邊界處放置激勵(lì)點(diǎn)或入射波使入射波的逡逑加入更為簡(jiǎn)單且能控制傳播方向與區(qū)域。很據(jù)等效原理,只需要存儲(chǔ)FDTD計(jì)算過(guò)逡逑程中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)進(jìn)界(輸出邊界)處的近場(chǎng)值即可推導(dǎo)出遠(yuǎn)場(chǎng)值,從而實(shí)現(xiàn)近遠(yuǎn)場(chǎng)逡逑變換。逡逑除連接邊界外,在仿真中還需要設(shè)置吸收邊界(截?cái)噙吔纾。吸收邊界的設(shè)定將逡逑有助于計(jì)算區(qū)域的限定,從而可1^>1在有限的計(jì)算區(qū)域中模擬無(wú)限的電磁空間1221在逡逑本文的化真中將使用Mur邊界作為吸收邊界條件。逡逑5逡逑

波形,高斯脈沖,余弦調(diào)制,頻率


—4Wr-)2邋.邋cos邋2開"ct邐(公式邋2.12)逡逑其中/c為調(diào)制后的中屯、頻率點(diǎn),調(diào)制后的時(shí)域與頻域波形分別如圖2.3和圖2.4逡逑所示。從圖2.3中可看到高斯脈沖的中也頻率點(diǎn)己經(jīng)由0邋Hz調(diào)制到了5邋THz。在逡逑實(shí)際運(yùn)用時(shí),可W根據(jù)仿真需要調(diào)整時(shí)延參數(shù)t0和脈沖寬度參數(shù)T,從而調(diào)整脈沖逡逑發(fā)起時(shí)間和所覆蓋的仿真頻段。逡逑如上所述,如果將該激勵(lì)源在電場(chǎng)FDTD方程中引入則相當(dāng)于電壓源激勵(lì);若逡逑是在磁場(chǎng)FDTD方程中引入則相當(dāng)于電流環(huán)激勵(lì)。逡逑2.3.2總場(chǎng)/散射場(chǎng)邊界逡逑在FDTD的應(yīng)用中,總場(chǎng)/散射場(chǎng)邊界是被采用最多的激勵(lì)源引入方式。在本文逡逑所涉及到的的一維仿真中,為保證激勵(lì)源只向一個(gè)方向傳播,需要引入總場(chǎng)邊界條逡逑件。該邊界將計(jì)算區(qū)域劃分為總場(chǎng)區(qū)和散射場(chǎng)區(qū),將入射波限制在總場(chǎng)區(qū)內(nèi),在散逡逑射場(chǎng)區(qū)域只有散射波存在PW。因此截?cái)噙吔缣幹挥型庀蛐胁,滿足了階段邊界的吸逡逑收條件。逡逑10逡逑

自由空間,電場(chǎng),仿真結(jié)果,更新方程


其中巧nt為電場(chǎng)激勵(lì)源,在本文中即調(diào)制高斯脈沖。巧為相應(yīng)介質(zhì)的特征阻抗。在逡逑完成FDTD更新方程后,立即對(duì)邊界點(diǎn)處相應(yīng)的場(chǎng)值進(jìn)行更新,通過(guò)該方法可W實(shí)逡逑現(xiàn)總場(chǎng)/散射場(chǎng)邊界,仿真結(jié)果實(shí)現(xiàn)如圖2.5所示。逡逑■邐-邐;邐'邐I邐I邐■邐,邐—.邋I,逡逑20邋邐邐逡逑邐邐邐邋J逡逑邐邋17^逡逑,.八逡逑r邋'"八邐逡逑S邐ZIJ\.邐逡逑.'八邐逡逑5邐邋八邐逡逑邐逡逑1\邐逡逑—八邐逡逑IV邐逡逑01邐>邐1邐1邐1邐逡逑0邐2000邐4000邐6000邐跑00邐10000逡逑Space邋(AJ逡逑圖2.5自由空間電場(chǎng)值FDTD仿真結(jié)果圖逡逑11逡逑

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