基于時(shí)域有限差分法的石墨烯器件仿真算法
【學(xué)位單位】:華中師范大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2015
【中圖分類】:TQ127.11
【部分圖文】:
2N2邋FDTD的計(jì)算區(qū)域逡逑對(duì)于散射問(wèn)題(本文中涉及到的主要問(wèn)題),通常的做法是在仿真區(qū)域中引入總逡逑場(chǎng)/散射場(chǎng)邊界(連接邊界),如圖2.1所示。該連接邊界的引入將FDTD的計(jì)算區(qū)逡逑域劃分為怠場(chǎng)區(qū)和散射場(chǎng)區(qū)P1L因此可W在邊界處放置激勵(lì)點(diǎn)或入射波使入射波的逡逑加入更為簡(jiǎn)單且能控制傳播方向與區(qū)域。很據(jù)等效原理,只需要存儲(chǔ)FDTD計(jì)算過(guò)逡逑程中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)進(jìn)界(輸出邊界)處的近場(chǎng)值即可推導(dǎo)出遠(yuǎn)場(chǎng)值,從而實(shí)現(xiàn)近遠(yuǎn)場(chǎng)逡逑變換。逡逑除連接邊界外,在仿真中還需要設(shè)置吸收邊界(截?cái)噙吔纾。吸收邊界的設(shè)定將逡逑有助于計(jì)算區(qū)域的限定,從而可1^>1在有限的計(jì)算區(qū)域中模擬無(wú)限的電磁空間1221在逡逑本文的化真中將使用Mur邊界作為吸收邊界條件。逡逑5逡逑
—4Wr-)2邋.邋cos邋2開"ct邐(公式邋2.12)逡逑其中/c為調(diào)制后的中屯、頻率點(diǎn),調(diào)制后的時(shí)域與頻域波形分別如圖2.3和圖2.4逡逑所示。從圖2.3中可看到高斯脈沖的中也頻率點(diǎn)己經(jīng)由0邋Hz調(diào)制到了5邋THz。在逡逑實(shí)際運(yùn)用時(shí),可W根據(jù)仿真需要調(diào)整時(shí)延參數(shù)t0和脈沖寬度參數(shù)T,從而調(diào)整脈沖逡逑發(fā)起時(shí)間和所覆蓋的仿真頻段。逡逑如上所述,如果將該激勵(lì)源在電場(chǎng)FDTD方程中引入則相當(dāng)于電壓源激勵(lì);若逡逑是在磁場(chǎng)FDTD方程中引入則相當(dāng)于電流環(huán)激勵(lì)。逡逑2.3.2總場(chǎng)/散射場(chǎng)邊界逡逑在FDTD的應(yīng)用中,總場(chǎng)/散射場(chǎng)邊界是被采用最多的激勵(lì)源引入方式。在本文逡逑所涉及到的的一維仿真中,為保證激勵(lì)源只向一個(gè)方向傳播,需要引入總場(chǎng)邊界條逡逑件。該邊界將計(jì)算區(qū)域劃分為總場(chǎng)區(qū)和散射場(chǎng)區(qū),將入射波限制在總場(chǎng)區(qū)內(nèi),在散逡逑射場(chǎng)區(qū)域只有散射波存在PW。因此截?cái)噙吔缣幹挥型庀蛐胁,滿足了階段邊界的吸逡逑收條件。逡逑10逡逑
其中巧nt為電場(chǎng)激勵(lì)源,在本文中即調(diào)制高斯脈沖。巧為相應(yīng)介質(zhì)的特征阻抗。在逡逑完成FDTD更新方程后,立即對(duì)邊界點(diǎn)處相應(yīng)的場(chǎng)值進(jìn)行更新,通過(guò)該方法可W實(shí)逡逑現(xiàn)總場(chǎng)/散射場(chǎng)邊界,仿真結(jié)果實(shí)現(xiàn)如圖2.5所示。逡逑■邐-邐;邐'邐I邐I邐■邐,邐—.邋I,逡逑20邋邐邐逡逑邐邐邐邋J逡逑邐邋17^逡逑,.八逡逑r邋'"八邐逡逑S邐ZIJ\.邐逡逑.'八邐逡逑5邐邋八邐逡逑邐逡逑1\邐逡逑—八邐逡逑IV邐逡逑01邐>邐1邐1邐1邐逡逑0邐2000邐4000邐6000邐跑00邐10000逡逑Space邋(AJ逡逑圖2.5自由空間電場(chǎng)值FDTD仿真結(jié)果圖逡逑11逡逑
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