本文關(guān)鍵詞：球磨法制備六方氮化硼納米片的研究，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

《南京大學》 2015年

幾種拓撲絕緣體微結(jié)構(gòu)材料的制備及其相干輸運觀察

陸浩然  

【摘要】：本文工作采用氣固法成功制備了Bi2Te3和Bi2Se3的三角形和六邊形的納米薄片和Bi2Te3-Bi2Se3的異質(zhì)結(jié)構(gòu)。納米薄片的橫向長度可達20 μm以上,最薄厚度可達6nm；異質(zhì)結(jié)構(gòu)仍為三角形和六邊形,Bi2Se3內(nèi)嵌在Bi2Te3納米薄片中。采用同樣的思路,利用Bi2Te3和Bi2Se3的混合源,產(chǎn)物將會變成三元的拓撲絕緣體材料BTS。作者利用電磁感應爐把熔點為1857.0℃的Cr蒸發(fā)出來,作為Cr源,用以生長含Cr的BTS薄膜。作者制作了四電極納米結(jié)構(gòu)器件并進行了低溫輸運測量。測量結(jié)果證實拓撲絕緣體納米薄片中的弱反局域化效應。作者利用HLN公式去擬合弱反局域化的數(shù)據(jù)可以得到代表著通道數(shù)的α和相位相干長度。α隨溫度的升高而增加,這意味著退耦合現(xiàn)象的發(fā)生。Bi2Se3中的輸運可以用表面體相散射弛豫時間τSB相位相干時間τφ之間的競爭機制來解釋,而BTS中的結(jié)果要用體相調(diào)控兩表面模型來解釋。

【關(guān)鍵詞】：
【學位授予單位】：南京大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2015
【分類號】：TB30
【目錄】：

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