本文選題：原子層沉積 + ZrO_薄膜�。� 參考：《人工晶體學報》2017年04期

【摘要】：利用原子層沉積技術(shù)(Atomic layer deposition,ALD)進行ZrO_2薄膜工藝研究,獲得了低溫下ZrO_2薄膜ALD的最佳工藝條件。分析了在低溫下前驅(qū)體脈沖時間,吹掃時間生長工藝條件對薄膜性能的影響。以四(二甲基氨)基鋯(TDMAZ)和H_2O為前驅(qū)體,制備了均勻性良好,表面粗糙度低,可見光透過率高,水汽阻擋效果良好的ZrO_2薄膜。
[Abstract]:Atomic layer deposition (ALD) technique was used to study the process of ZrO_2 thin film. The optimum process conditions of ZrO_2 thin film ALD at low temperature were obtained. The influence of the growth conditions of the precursor pulse time and the blowing time on the properties of the films at low temperature was analyzed. ZrO_2 thin films with good homogeneity, low surface roughness, high visible light transmittance and good water vapor blocking effect were prepared by using tetra- (Dimethylamine) based zirconium zirconium (TDMAZ) and H _ 2O as precursors.
【作者單位】： 上海大學材料科學與工程學院;福建江夏學院電子信息科學學院;有機光電子福建省高校工程研究中心;
【基金】：國家自然科學基金(51402050) 福建省自然科學基金(2017J01733,2015J01654)
【分類號】：TB383.2;TQ134.12

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1 方明;離子體輔助TMA催化TPS快速原子層沉積SiO_2研究[D];北京印刷學院;2015年

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本文編號：1779728