磁場(chǎng)強(qiáng)度及位形對(duì)霍爾推力器放電過(guò)程有顯著影響。根據(jù)霍爾推力器通道尺寸和等離子體放電過(guò)程建立二維物理模型,采用粒子模擬方法,研究了不同磁場(chǎng)強(qiáng)度及位形等離子體放電特性,討論了推力、推功比及放電電流的變化規(guī)律。模擬表明:當(dāng)中軸線磁場(chǎng)強(qiáng)度峰值小于200G時(shí),磁場(chǎng)對(duì)電子軸向傳導(dǎo)約束減弱;當(dāng)磁場(chǎng)強(qiáng)度峰值在200G～420G時(shí),電子溫度、電離率及電子與壁面碰撞頻率降低,出口處離子徑向速度增大,壁面腐蝕增加;當(dāng)磁場(chǎng)強(qiáng)度峰值為280G時(shí),加速區(qū)最短,放電電流最小。不同零磁點(diǎn)磁場(chǎng)位形會(huì)改變通道電離區(qū)和加速區(qū)位置,影響推力器放電性能。

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【文章目錄】：
1 引言
2 二維物理模型及邊界條件
    2.1 物理模型
    2.2 邊界條件
3 數(shù)值模擬結(jié)果
    3.1 磁場(chǎng)強(qiáng)度對(duì)推力器放電特性的影響
    3.2 磁場(chǎng)位形對(duì)霍爾推力器放電特性的影響
4 結(jié)論



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