航天器電源系統(tǒng)、導(dǎo)電旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)等部件外層使用金屬屏蔽層進(jìn)行輻射防護(hù),屏蔽層會(huì)影響電子輻射下介質(zhì)充放電特性。為此以聚醚醚酮為研究對(duì)象,通過設(shè)置鋁屏蔽層與介質(zhì)之間的間隙,構(gòu)建具有不同鋁屏蔽與介質(zhì)間隙結(jié)構(gòu)的二維介質(zhì)深層充電仿真模型;采用有限元分析方法仿真分析了電子輻射下,不同鋁屏蔽間隙對(duì)聚醚醚酮充電特性的影響,并分析了工作電壓極性的影響。結(jié)果表明,鋁屏蔽距離越小,介質(zhì)表面電荷積聚越嚴(yán)重,且積聚量隨輻射時(shí)間增加而增大。當(dāng)鋁屏蔽接觸介質(zhì)時(shí),介質(zhì)表面電荷積聚量迅速減小,瞬時(shí)表面電荷會(huì)發(fā)生變化,隨時(shí)間增加,表面電荷很小且基本不變,介質(zhì)內(nèi)部電荷也減小,同時(shí),靠近鋁屏蔽側(cè)出現(xiàn)正負(fù)電荷峰。鋁屏蔽不接觸介質(zhì)且工作電壓為正極性時(shí),表面電荷減少;為負(fù)時(shí)表面電荷增加。鋁屏蔽接觸介質(zhì)和距離較遠(yuǎn)時(shí)有利于緩解介質(zhì)充放電效應(yīng),提高航天器運(yùn)行穩(wěn)定性。 

【文章來源】：高電壓技術(shù). 2020,46(11)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：11 頁

【部分圖文】：

仿真計(jì)算模型示意圖

圖3為不同鋁屏蔽間隙模型0 V電極電壓輻射30 min后PEEK內(nèi)部的電荷分布情況。圖4為0 mm鋁屏蔽間隙模型0 V電壓下PEEK內(nèi)電荷不同時(shí)刻的空間分布。為使內(nèi)部電荷趨勢(shì)更明顯，圖3中不包含介質(zhì)被輻射側(cè)表面和介質(zhì)–電極界面的電荷密度數(shù)據(jù)(即有限元中PEEK輻射方向的第一個(gè)節(jié)點(diǎn)和最后一個(gè)節(jié)點(diǎn))。圖3 不同鋁屏蔽間隙30 min輻射后PEEK內(nèi)部的電荷分布情況

不同鋁屏蔽間隙30 min輻射后PEEK內(nèi)部的電荷分布情況

【參考文獻(xiàn)】：
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本文編號(hào)：3419071