本文關鍵詞：以太網(wǎng)芯片重離子單粒子效應試驗　出處：《強激光與粒子束》2016年08期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：為評估和研究工業(yè)以太網(wǎng)芯片KSZ8851-16MLLJ在空間環(huán)境中的適應性,利用重離子源對芯片進行了單粒子試驗。根據(jù)以太網(wǎng)芯片的結(jié)構(gòu)和功能制訂了單粒子實驗方案,得出了實驗數(shù)據(jù),并對實驗數(shù)據(jù)進行了整理和研究。實驗和研究表明:工業(yè)以太網(wǎng)芯片KSZ8851-16MLLJ具有一定的抗單粒子輻射能力;在不同網(wǎng)絡傳輸條件下,發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn)的機率也不相同;在持續(xù)的單粒子輻射下,以太網(wǎng)芯片會發(fā)生電流階躍,第二次電流階躍時產(chǎn)生單粒子鎖定,在工程應用中可以利用電流階躍監(jiān)測芯片的輻射水平。
【作者單位】： 蘭州空間技術物理研究所載人機電研究室;
【分類號】：V443;TN406
【正文快照】：

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本文編號：1327401