IGS電離層圖內(nèi)插區(qū)域電離層電子含量精度分析
發(fā)布時間:2017-07-27 14:10
本文關(guān)鍵詞:IGS電離層圖內(nèi)插區(qū)域電離層電子含量精度分析
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【摘要】:本文以重慶CORS網(wǎng)2007年第247天5個基準(zhǔn)站觀測數(shù)據(jù)為例,首先采用平滑偽距觀測值解算各個基準(zhǔn)站上空的VTEC值,然后將其中的4個測站穿刺點處的VTEC值采用克里金插值法內(nèi)插YUBE站上空的穿刺點處的VTEC,發(fā)現(xiàn)克里金插值法內(nèi)插的電離層穿刺點的VTEC值精度是可靠的,且比高精度的廣義三角級數(shù)函數(shù)模型計算精度更高。再利用IGS電離層圖,采用電離層穿刺點周圍4個電離層圖點和包含電離層穿刺點的所有格網(wǎng)點內(nèi)插BANA站整點時刻的電離層VTEC值,經(jīng)比較發(fā)現(xiàn)兩者的內(nèi)插精度基本一致。最后,利用包含電離層穿刺點的所有IGS電離層圖點內(nèi)插重慶CORS網(wǎng)5個基準(zhǔn)站上空的整點時刻電離層VTEC值,經(jīng)分析發(fā)現(xiàn)由IGS電離層圖內(nèi)插的5個基準(zhǔn)站上空的VTEC值均比采用平滑偽距觀測值解算的VTEC值偏大,約3.454TECU,且插值結(jié)果精度低于廣義三角級數(shù)函數(shù)模型計算精度。
【作者單位】: 重慶工程職業(yè)技術(shù)學(xué)院;國家測繪地理信息局重慶測繪院;
【關(guān)鍵詞】: 克里金法插值 電離層圖 電離層垂直總電子含量
【基金】:重慶工程職業(yè)技術(shù)學(xué)院重點課題(編號:KJA201408) 重慶市教育委員會科學(xué)技術(shù)項目(編號:KJ1503308)
【分類號】:P228.4
【正文快照】: 0引言IGS發(fā)布的全球電離層圖的覆蓋范圍為南緯87.5°~北緯87.5°、東經(jīng)180°~西經(jīng)180°,電離層圖提供經(jīng)度5°間隔和緯度2.5°間隔的格網(wǎng)點的垂直總電子含量(VTEC),每2個小時一幅圖,每天的數(shù)據(jù)文件是從UTC00:00時到UTC24:00時,共13個整點時刻的電離層電子含量圖。全球電離層圖
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,本文編號:581792
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