發(fā)布時間：2017-08-19 00:06

  本文關鍵詞：高溫高壓下地幔巖和苦橄質榴輝巖的電導率實驗

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【摘要】：為了探討地幔巖模型和苦橄質榴輝巖模型在上地幔存在的合理性,建立上地幔的電性結構,本文利用YJ-3000t緊裝式六面頂壓機和Solartron IS-1260阻抗/增益-相位分析儀,在1.0~4.0GPa、700~1150℃的條件下,采用交流阻抗譜法(頻率范圍10-1~106 Hz)分別測量了地幔巖和苦橄質榴輝巖的電導率.實驗結果表明:隨著溫度的升高,地幔巖和苦橄質榴輝巖的電導率大幅增加;隨著壓力的增大,地幔巖的電導率略有增加,活化體積ΔV為-4.73cm3·mol-1,而苦橄質榴輝巖的電導率幾乎沒有變化,活化體積ΔV為-0.11cm3·mol-1;在電性方面,用苦橄質榴輝巖來表示深部的物質較為合理,地幔巖解釋淺部可能更恰當,但淺部物質的分布不均勻,電導率隨深度的變化主要受控于溫度的影響,其次才是成分.
【作者單位】： 中國科學院地質與地球物理研究所地球與行星物理重點實驗室;中國科學院大學;
【關鍵詞】： 電導率 地幔巖 苦橄質榴輝巖 高溫高壓
【基金】：國家自然科學基金項目(41174074)資助
【分類號】：P315.8
【正文快照】： 1引言根據(jù)地球內部密度、彈性波速度等物理性質的變化,Ringwood(1962;1975),Anderson和Bass(1984;1986)分別提出了地幔巖模型和苦橄質榴輝巖模型.之后,Duff和Anderson(1989)對苦橄質榴輝巖做了進一步的研究,提出上地幔由體積分數(shù)(如不加說明,表示為質量分數(shù))為40%橄欖石、37%

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