本文關(guān)鍵詞：多級倍增超晶格InGaAs雪崩光電二級管的增益-噪聲特性

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【摘要】：重點研究了多級倍增超晶格InGaAs雪崩光電二級管(APD)的增益和過剩噪聲,建立了新的載流子增益-過剩噪聲模型。在常規(guī)弛豫空間理論基礎(chǔ)上分析了其工作原理,考慮了預(yù)加熱電場和能帶階躍帶來的初始能量效應(yīng)、電子進(jìn)入高場倍增區(qū)時異質(zhì)結(jié)邊界附近的弛豫空間長度修正以及聲子散射對碰撞離化系數(shù)的影響,提出了用于指導(dǎo)該類APD的增益-過剩噪聲計算的修正弛豫空間理論。結(jié)果表明:在相同條件下,相比于常規(guī)的單層倍增SAGCM結(jié)構(gòu),多級倍增超晶格InGaAsAPD同時具有更高增益和更低噪聲,且修正的弛豫空間理論可被推廣到更多級倍增的超晶格InGaAsAPD結(jié)構(gòu),在保證低噪聲前提下,通過增加倍增級數(shù)可提高增益。
【作者單位】： 西南技術(shù)物理研究所;
【關(guān)鍵詞】： 修正的弛豫空間理論 多級倍增超晶格InGaAs APD 碰撞電離 弛豫空間長度
【分類號】：TN312.7
【正文快照】： 0引言雪崩光電二極管(APD)是一種具有內(nèi)增益的光電器件,它可以探測微弱的光信號(納瓦至單光子數(shù)量級),因此在弱光探測領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。硅APD的優(yōu)勢在于電子和空穴的碰撞離化系數(shù)相差很大,k≈0.02(電子倍增為主,k為空穴與電子碰撞離化系數(shù)之比),從而具有低的過剩噪聲因子,

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本文編號：953140