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硅-有機(jī)物材料混合電光調(diào)制器的優(yōu)化設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2017-09-30 09:37

  本文關(guān)鍵詞:硅-有機(jī)物材料混合電光調(diào)制器的優(yōu)化設(shè)計(jì)


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【摘要】:設(shè)計(jì)了一種基于絕緣上層硅的硅-有機(jī)物材料混合馬赫-曾德干涉型高速電光調(diào)制器.利用光束傳播法對(duì)頂層硅為220nm的絕緣上層硅基片上的3dB分束器/合束器的結(jié)構(gòu)參數(shù)進(jìn)行模擬,優(yōu)化后附加損耗僅為0.106dB.為提高模式轉(zhuǎn)換效率,在條形波導(dǎo)和slot波導(dǎo)之間設(shè)計(jì)了模式轉(zhuǎn)換器,光耦合效率高達(dá)98.8%,實(shí)現(xiàn)了光模式高效轉(zhuǎn)化.利用時(shí)域有限差分法模擬了slot波導(dǎo)平板區(qū)摻雜濃度對(duì)波導(dǎo)內(nèi)光學(xué)損耗的影響,在幾乎不產(chǎn)生光學(xué)損耗的情況下,得到平板區(qū)輕摻雜濃度為71017/cm3,調(diào)制器設(shè)計(jì)總損耗為0.493dB.利用薄膜模式匹配法對(duì)slot波導(dǎo)結(jié)構(gòu)進(jìn)行仿真分析,考慮slot區(qū)等效電容及平板區(qū)等效電阻對(duì)帶寬的影響,優(yōu)化后得到slot波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的限制因子為0.199.采用slot波導(dǎo)與強(qiáng)非線性有機(jī)材料LXM1結(jié)合的絕緣上層硅平臺(tái)實(shí)現(xiàn)了強(qiáng)普克爾效應(yīng),得到電光調(diào)制器半波電壓長(zhǎng)度積為1.544V·mm,電學(xué)響應(yīng)3dB帶寬為137GHz.
【作者單位】: 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所集成光電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】硅-有機(jī)物材料混合 槽式波導(dǎo) 電光調(diào)制器 馬赫曾德干涉 模式轉(zhuǎn)換器
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目(No.61274047);國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目(No.61435013) 國(guó)家自然科學(xué)青年基金(Nos.61307034,61205044)資助
【分類號(hào)】:TN761
【正文快照】: 1-10032500引言傳輸高速率、大容量數(shù)據(jù)需求促進(jìn)了光網(wǎng)絡(luò)的巨大發(fā)展,并且吸引了許多研究人員對(duì)電光調(diào)制器研究的興趣[1-3].電光調(diào)制器將電信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)楣庑盘?hào),同時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)電光信號(hào)轉(zhuǎn)換、射頻信號(hào)控制、光路控制等多種功能,因而在光纖通信網(wǎng)絡(luò)中具有重要作用[4-6].基于硅材料制

【相似文獻(xiàn)】

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5 文s,

本文編號(hào):947481


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