本文關鍵詞：熱循環(huán)過程中IGBT模塊封裝退化研究

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【摘要】：IGBT模塊失效的原因錯綜復雜,封裝退化是因素之一。為剔除應用工況類因素干擾,采用更嚴苛的熱循環(huán)試驗,建立模塊失效和封裝退化的關聯(lián),結果分析發(fā)現(xiàn),封裝會出現(xiàn)焊層分層、母排脫附及鋁線脫離等退化現(xiàn)象,繼而導致模塊失效。結合材料力學理論,得出材料選型和結構設計的原則;同時分析了工藝質(zhì)量水平對封裝退化的影響,并從基板焊層及拱度、金屬間化合物形貌、功率端子焊接、鍵合技術等方面提出針對性改進措施。
【作者單位】： 新型功率半導體器件國家重點實驗室;株洲中車時代電氣股份有限公司;
【關鍵詞】： 失效分析 熱循環(huán)能力 封裝退化 可靠性
【分類號】：TN322.8
【正文快照】： 0?引言IGBT因其開關頻率高、損耗小及控制簡單等特點被廣泛應用于軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源、電動汽車等領域[1]。隨著應用環(huán)境苛刻度的增加以及功率密度的不斷提高,封裝逐漸成為制約模塊長期可靠性的瓶頸。由于應用工況非常復雜,IGBT模塊的失效原因通常難以明確定位。比如，

本文編號：946120