本文關鍵詞：FinFET工藝對MOS器件輻射效應的影響

  更多相關文章： 鰭式場效應晶體管(FinFET) 鰭寬 敏感面積 輻射效應 單粒子翻轉(zhuǎn)

【摘要】：基于商用工藝線生產(chǎn)抗輻射器件具有一定的通用性,需要對商用工藝本征的抗輻射能力進行評估。綜述了當前最新絕緣體上硅鰭式場效應晶體管(SOI FinFET)和體硅FinFET工藝的鰭寬和敏感面積對輻射效應的影響。SOI FinFET和體硅FinFET工藝的抗總劑量能力隨著鰭寬的變化呈現(xiàn)相反的趨勢。SOI FinFET的閾值電壓漂移和亞閾值擺幅的退化隨著鰭寬減小而減小,而體硅FinFET工藝的漏電流隨著鰭寬減小而增大。FinFET工藝由于其自身結(jié)構(gòu)的特點,與相同工藝節(jié)點下的平面工藝相比,敏感面積更小,抗單粒子翻轉(zhuǎn)能力更好。從整體趨勢來看,隨著工藝節(jié)點的減小,FinFET工藝的本征抗總劑量能力較為可觀,而本征抗單粒子翻轉(zhuǎn)能力較差。
【作者單位】： 中國電子科技集團公司第三十八研究所;合肥師范學院電子信息工程學院;
【關鍵詞】： 鰭式場效應晶體管(FinFET) 鰭寬 敏感面積 輻射效應 單粒子翻轉(zhuǎn)
【基金】：合肥師范學院校級青年科研基金資助項目(2015QN04)
【分類號】：TN386
【正文快照】： 0引言由于宇宙和外層空間存在大量的高能粒子射線,應用于航空航天電子系統(tǒng)的微電子器件需要具有抗輻射能力。為此,國內(nèi)外有些公司專門開發(fā)了抗輻射加固工藝線。但是,這些加固工藝線通常比當前工藝節(jié)點落后,微電子器件的性能水平不及未加固工藝線的產(chǎn)品。為了實現(xiàn)更高的性能和

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 ;MOS器件的三個輻照問題[J];微電子學與計算機;1975年05期

2 王再新;常天海;汪志成;黎曦;;MOS器件抗靜電性能分析[J];安全;2007年02期

3 崔強;韓雁;董樹榮;劉俊杰;斯瑞s，

本文編號：930903