本文關(guān)鍵詞：一種抗輻射高壓MOSFET驅(qū)動器的設(shè)計

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【摘要】：在航天和核物理技術(shù)中對抗輻射高壓功率電路的需求也越來越強烈。介紹了一種抗輻射高壓金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)驅(qū)動器的設(shè)計,該電路基于0.5μm雙極-互補金屬氧化物半導(dǎo)體-雙重擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(BCD)工藝研制,采用特殊的線路結(jié)構(gòu),并通過版圖設(shè)計對閂鎖效應(yīng)、場區(qū)和電參數(shù)進行抗輻射加固,抗總劑量輻射效應(yīng)可達到300 krad(Si)。同時,該電路工作電壓可達40 V,兼容邏輯門電路(TTL)/互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)輸入,輸出峰值電流1.5 A,可廣泛用于航天、核物理實驗裝備等功率驅(qū)動部位。
【作者單位】： 中國電子科技集團公司第24研究所;
【關(guān)鍵詞】： 抗輻射加固 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管驅(qū)動器 高壓集成電路(IC) 雙極-互補金屬氧化物半導(dǎo)體-雙重擴散金屬氧化物半導(dǎo)體工藝
【分類號】：TN386
【正文快照】： 屬氧化物半導(dǎo)體-雙重擴散金屬氧化物半導(dǎo)體工藝近年來,隨著空間技術(shù)和核物理技術(shù)的發(fā)展,各種電子設(shè)備已經(jīng)廣泛用于我國人造衛(wèi)星、運載火箭和核物理試驗裝備中。電子設(shè)備中的元器件不可避免地會處于空間輻射和核輻射等強輻射應(yīng)用環(huán)境中,各種輻射效應(yīng)會對元器件的性能產(chǎn)生不同的

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