本文關(guān)鍵詞：銅化學(xué)機械平坦化過拋過程中平坦化效率的計算方法

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【摘要】：為了確保整個晶圓片上殘余銅的去除,精拋后的過拋步驟至關(guān)重要,然而在銅過拋過程中會產(chǎn)生銅碟形坑和介質(zhì)蝕坑等問題,去除殘余銅的同時控制銅碟形坑和介質(zhì)蝕坑是銅化學(xué)機械平坦化(CMP)研究的最重要的課題之一。為了解決這一問題,提出了一種銅過拋化學(xué)機械平坦化過程中基于氧化反應(yīng)的平坦化效率計算方法。實驗顯示該方法計算結(jié)果與實驗數(shù)據(jù)一致。采用堿性銅精拋液對銅光片進行拋光,獲得的數(shù)據(jù)顯示,增加過氧化氫濃度可以獲得較低的銅去除率以及幾乎為零的阻擋層去除速率。布線片CMP的結(jié)果表明,增加過氧化氫濃度可以獲得較小的碟形坑。對含有不同濃度過氧化氫的拋光液進行電化學(xué)實驗研究,研究結(jié)果表明在銅表面有鈍化層形成。綜上所述,該計算方法是計算過拋過程平坦化效率的適當(dāng)方法。
【作者單位】： 河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院;河北大學(xué)靜電研究所;
【關(guān)鍵詞】： 平坦化效率 堿性銅精拋液 過拋 過氧化氫 碟形坑 鈍化層
【基金】：河北省自然科學(xué)基金項目(E2014202147) 河北省青年自然科學(xué)基金項目(F2015202267)資助
【分類號】：TN305.2
【正文快照】： 化學(xué)機械平坦化(CMP)已成為實現(xiàn)大體積半導(dǎo)體制造晶圓片表面局部和全局平坦化最有效的方法[1]。然而,傳統(tǒng)的銅/低k介質(zhì)集成電路CMP過程仍面臨著許多技術(shù)挑戰(zhàn),包括膜剝離、劃痕和脆弱薄膜的機械形變等[2]。銅布線片CMP過程中,為了確保整個晶圓片上殘余銅的完全去除而增加過拋過

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 郭東明,康仁科,蘇建修,金洙吉;超大規(guī)模集成電路制造中硅片平坦化技術(shù)的未來發(fā)展[J];機械工程學(xué)報;2003年10期

2 邵建新;涂膠返腐法無機介質(zhì)表面平坦化工藝研究[J];半導(dǎo)體技術(shù);1993年05期

3 金井史幸,小池淳義;采用有機源的金屬層間膜的平坦化技術(shù)[J];微電子技術(shù);1994年04期

4 聞永祥;超大規(guī)模集成電路的平坦化技術(shù)[J];電子工程師;2000年07期

5 歐益宏,張正t，

本文編號：898501