本文關鍵詞：GaAs半導體表面的等離子氮鈍化特性研究

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【摘要】：采用射頻(RF)等離子方法,對Ga As樣品進行了150 W高功率等離子氮鈍化及快速退火處理。經(jīng)過該方法鈍化后的樣品,光致發(fā)光(PL)強度上升了91%。XPS分析得出,Ga As樣品表面的氮化效果隨著氮等離子體功率的增加而逐漸趨于明顯。氮化后的樣品表面未發(fā)現(xiàn)氧化物殘余。樣品在空氣中加熱放置30 d,PL強度下降不明顯,說明表面鈍化層具有良好的穩(wěn)定性。
【作者單位】： 長春理工大學高功率半導體激光國家重點實驗室;
【關鍵詞】： 等離子 XPS PL GaAs
【基金】：國家自然科學基金(61176048;61177019;61308051) 吉林省科技發(fā)展計劃(20150203007GX;20130206016GX) 中物院高能激光重點實驗室基金(2014HEL01)資助項目
【分類號】：TN304.23
【正文快照】： 1引言高濃度表面態(tài)在禁帶中造成費米釘扎現(xiàn)象[1],對Ga As基高功率半導體激光器的腔面穩(wěn)定性帶來嚴重影響。研究人員嘗試采用多種鈍化方法改善或解決這一問題。含硫鈍化液對Ga As表面具有明顯的PL增強效果[2],但生成的硫化物表面層性能不穩(wěn)定,空氣中鈍化效果不能夠長期保持;同

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4 陳蕓琪,林彰達,齊上雪,謝侃,常英傳,侯德森,王泰宏;SrTiO_3表面O_2,H_2O吸附的UPS,XPS研究[J];物理學報;1987年08期

5 ;[J];;年期

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本文編號：879419