本文關鍵詞：多晶硅沉積厚度對氧沉淀和潔凈區(qū)形成的影響

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【摘要】：硅片背面沉積多晶硅是半導體生產中常用的吸雜手段,多晶硅中存在著大量的晶界,可以吸除金屬雜質,它還可以影響硅片內氧沉淀的分布,增強內吸雜的作用。通過控制低壓化學氣相沉積(LPCVD)系統(tǒng)的沉積時間,在硅片背面沉積不同厚度的多晶硅薄膜,借助擇優(yōu)腐蝕和金相顯微(OM)觀察等手段研究了沉積厚度對重摻硼硅片內氧沉淀形成與分布的影響。結果表明:沉積的多晶硅薄膜越厚,硅片的形變量越大,小尺寸的氧沉淀數量增多并在表面附近聚集,大尺寸的氧沉淀則傾向于在體內和背面形成,潔凈區(qū)的厚度則減小直至無潔凈區(qū)建立。多晶硅薄膜通過對硅片施加應力引起硅片形變,從而影響氧沉淀硅片體內形成的位置,起到促進內吸雜的作用。最佳多晶硅沉積厚度為800 nm。
【作者單位】： 北京有色金屬研究總院有研半導體材料有限公司;
【關鍵詞】： 重摻硅片 多晶硅吸雜 擇優(yōu)腐蝕 氧沉淀
【基金】：國家重大科技專項項目(2010ZX02302-001)資助
【分類號】：TN304.12
【正文快照】： 重摻直拉硅片是功率半導體器件的主要襯底材料,是解決電路中α粒子引起的軟失效和閂鎖效應的最有效辦法之一[1-2]。電子器件制作過程中,有源區(qū)的金屬雜質會影響器件電學性能和器件成品率,為了防止襯底硅片中的金屬雜質沾污器件有源區(qū),需要對襯底硅片進行吸雜處理[3]。多晶硅吸

【相似文獻】

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1 尹華瓊,李全臻;GaAs襯底在H_2SO_4-H_2O_2-H_2O系中的擇優(yōu)腐蝕[J];半導體光電;1983年03期

2 高偉;莊婉如;譚叔明;;GaAs、GaAlAs晶片的化學擇優(yōu)腐蝕[J];半導體光電;1989年04期

3 鄒子英,閔靖;硅片表面機械損傷層厚度的測試方法研究[J];上海計量測試;2000年06期

4 ;[J];;年期

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本文編號：856304