本文關(guān)鍵詞：基于射頻單電子晶體管的超靈敏電荷計的數(shù)值分析

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【摘要】：集成單電子晶體管SET(Single Electron Transistor)與射頻共振電路的射頻單電子晶體管RF SET(Radio FrequencySingle Electron Transistor)是一種高速高靈敏的電荷計。通過建立RF SET的等效電路模型,對共振電路及其與射頻傳輸線的集成進行模擬分析,得到了SET阻抗的最佳匹配,獲得了所需的諧振頻率、品質(zhì)因子和對SET阻抗的靈敏度。結(jié)果表明,受電荷調(diào)制的SET阻抗直接影響著共振電路的品質(zhì)因子、阻抗和射頻透射/反射系數(shù)。射頻信號隨著SET的阻抗降低而減小,峰位基本不變。在SET阻抗小于200 kΩ時,共振信號幅度隨阻抗的變化率較大。透射式與反射式兩種結(jié)構(gòu)相比,前者共振頻率及品質(zhì)因子更高,后者則具有更高的靈敏度優(yōu)勢。
【作者單位】： 物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)應(yīng)用教育部工程研究中心江南大學電子工程系;中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米器件與應(yīng)用重點實驗室;
【關(guān)鍵詞】： 電荷計 射頻單電子晶體管 等效電路 透射 反射
【基金】：中國科學院科研裝備研制項目(YZ201152) 國家自然科學基金項目(11403084) 中央高校基本科研業(yè)務(wù)費專項資金項目(JUSRP51510,JUDCF12032) 江蘇省普通高校研究生創(chuàng)新計劃基金項目(CXLX12_0724)
【分類號】：TN32
【正文快照】： 基于庫侖阻塞效應(yīng)和單電子隧穿效應(yīng)的單電子晶體管SET(Single Electron Transistor)對其鄰域的微小電荷變化具有極高的靈敏度,適合在微納尺度下進行定點的高靈敏度電荷探測,是一種超靈敏電荷計[1-5]。然而,由于SET的輸出阻抗較大,并且室溫下的讀出電路與SET之間較長的信號線引

【相似文獻】

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本文編號：855672