雙極性憶阻器模型參數(shù)對(duì)蘊(yùn)含邏輯門的影響
本文關(guān)鍵詞:雙極性憶阻器模型參數(shù)對(duì)蘊(yùn)含邏輯門的影響
更多相關(guān)文章: 閾值 憶阻器模型 蘊(yùn)含邏輯門 狀態(tài)漂移 運(yùn)算速度 功率損耗
【摘要】:首先深入分析了具有閾值特性的雙極性憶阻器模型的閾值電壓和高低阻態(tài)開(kāi)關(guān)特性,然后基于此模型設(shè)計(jì)了蘊(yùn)含邏輯門電路,該設(shè)計(jì)有效解決了由線性漂移憶阻器模型構(gòu)建的蘊(yùn)含邏輯門電路存在的狀態(tài)漂移問(wèn)題。最后分別研究了憶阻值變化快慢參數(shù)(β)、閾值電壓(V_t)和高低阻態(tài)阻值比率(a)對(duì)蘊(yùn)含邏輯門電路運(yùn)算速度和功率損耗的影響。理論分析和電路仿真表明,β增大或V_t和a減小,電路運(yùn)算速度提高;β增大或a減小,電路功耗減少,V_t對(duì)電路功耗影響很小。研究成果為進(jìn)一步設(shè)計(jì)運(yùn)算速度更快、功耗更低的全加器和多路器等邏輯電路提供理論依據(jù)。
【作者單位】: 空軍工程大學(xué)理學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】: 閾值 憶阻器模型 蘊(yùn)含邏輯門 狀態(tài)漂移 運(yùn)算速度 功率損耗
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金青年科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61401498) 陜西省自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(2014JQ8343)
【分類號(hào)】:TN791
【正文快照】: 0引言1971年,L.O.Chua教授[1]根據(jù)電路理論的完備性,首次提出憶阻器的概念,并將其定義為磁通與電荷之比。憶阻器是繼電阻、電容和電感之后的一種新型非線性電路元件,具有許多突出的優(yōu)點(diǎn)[2-4]:納米級(jí)特征尺寸、非易失性、能耗低、工作速度快、高低阻態(tài)開(kāi)關(guān)特性以及與CMOS工藝兼
【相似文獻(xiàn)】
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,本文編號(hào):827226
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