高遷移率聚合物半導(dǎo)體材料最新進展
發(fā)布時間:2017-09-09 16:34
本文關(guān)鍵詞:高遷移率聚合物半導(dǎo)體材料最新進展
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【摘要】:自20世紀80年代以來,聚合物半導(dǎo)體材料及其薄膜場效應(yīng)晶體管器件(OFETs)已取得系列突破性進展.目前,已有數(shù)百種聚合物半導(dǎo)體材料被成功應(yīng)用于OFETs中,空穴遷移率值最高已達36.3 cm~2·V~(-1)·s~(-1),可與有機小分子半導(dǎo)體材料甚至可同無定形硅相媲美.綜述了近年來國內(nèi)外高遷移率聚合物半導(dǎo)體的最新進展.分類對比總結(jié)和評述了空穴傳輸型(p-型)、電子傳輸型(n-型)和雙極傳輸型聚合物半導(dǎo)體材料,并對聚合物半導(dǎo)體材料分子設(shè)計思路、薄膜OFETs器件制備及其性能參數(shù)進行了重點闡述.同時,總結(jié)了聚合物半導(dǎo)體材料的分子結(jié)構(gòu)、聚集態(tài)結(jié)構(gòu)與OFETs器件性能之間的內(nèi)在關(guān)系,為今后設(shè)計與合成綜合性能優(yōu)異的聚合物半導(dǎo)體材料提供一定理論指導(dǎo).
【作者單位】: 環(huán)境友好化學(xué)與應(yīng)用教育部重點實驗室特種高分子材料湖南省重點實驗室湘潭大學(xué)化學(xué)學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】: 有機場效應(yīng)晶體管 聚合物半導(dǎo)體材料 高遷移率 空氣穩(wěn)定
【基金】:國家自然科學(xué)基金(No.51403177) 湖南省自然科學(xué)基金(No.2015JJ3122) 中國博士后基金(Nos.2015T80877,2014M552141) 湖南省科技廳(No.2015RS4025)資助項目~~
【分類號】:TN304;O631
【正文快照】: 有機共軛半導(dǎo)體是一類新型的半導(dǎo)體材料,它獨特的光、電、磁等特性吸引了全球科學(xué)家的關(guān)注[1~4].早在20世紀初,Mccoy和Moore就預(yù)言:“人們有望合成出不含金屬元素的有機金屬導(dǎo)體”.1970年,Wudl等成功合成了四硫富瓦烯(TTF)類有機共軛電子給體.1973年,Ferraris等發(fā)現(xiàn)TTF給體與,
本文編號:821556
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